5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
5 A, 500 V, 1.7 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-251AA
厂商名称:Kersemi Electronic
厂商官网:http://www.kersemi.com
下载文档型号 | IRFU430APBF | IRFR430ATRLPBFA | IRFR430ATRR | SIHFR430A-E3 | SIHFR430ATA |
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描述 | 5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | 5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | 5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | 5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | 5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最小击穿电压 | 500 V | 500 V | 500 V | 500 V | 500 V |
加工封装描述 | 铅 FREE, 塑料, IPAK-3 | 铅 FREE, 塑料, IPAK-3 | 铅 FREE, 塑料, IPAK-3 | 铅 FREE, 塑料, IPAK-3 | 铅 FREE, 塑料, IPAK-3 |
无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |
状态 | TRANSFERRED | TRANSFERRED | TRANSFERRED | TRANSFERRED | TRANSFERRED |
包装形状 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 |
包装尺寸 | IN-线 | IN-线 | IN-线 | IN-线 | IN-线 |
端子形式 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 |
端子涂层 | MATTE 锡 OVER 镍 | MATTE 锡 OVER 镍 | MATTE 锡 OVER 镍 | MATTE 锡 OVER 镍 | MATTE 锡 OVER 镍 |
端子位置 | 单一的 | 单一的 | 单一的 | 单一的 | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
壳体连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
晶体管应用 | 开关 | 开关 | 开关 | 开关 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 | 硅 | 硅 | 硅 | 硅 |
通道类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 | 通用电源 | 通用电源 | 通用电源 | 通用电源 |
最大漏电流 | 5 A | 5 A | 5 A | 5 A | 5 A |
额定雪崩能量 | 130 mJ | 130 mJ | 130 mJ | 130 mJ | 130 mJ |
最大漏极导通电阻 | 1.7 ohm | 1.7 ohm | 1.7 ohm | 1.7 ohm | 1.7 ohm |
最大漏电流脉冲 | 20 A | 20 A | 20 A | 20 A | 20 A |