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IS63LV1024L-10TLI-TR

SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

器件类别：存储    存储   

厂商名称：ISSI(芯成半导体)

厂商官网：http://www.issi.com/

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IS63LV1024L-10TLI-TR 在线购买

供应商：

器件：IS63LV1024L-10TLI-TR

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ISSI(芯成半导体)
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2,
针数
32
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.B
Factory Lead Time
8 weeks
最长访问时间
10 ns
JESD-30 代码
R-PDSO-G32
JESD-609代码
e3
长度
20.95 mm
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
32
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）
260
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)
3.45 V
最小供电电压 (Vsup)
3.15 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与IS63LV1024L-10TLI-TR相近的元器件有：IS63LV1024L-10KLI-TR、IS63LV1024L-10TL、IS63LV1024L-12JL-TR、IS63LV1024L-10KLI、IS63LV1024L-12JL。描述及对比如下：
型号 IS63LV1024L-10TLI-TR IS63LV1024L-10KLI-TR IS63LV1024L-10TL IS63LV1024L-12JL-TR IS63LV1024L-10KLI IS63LV1024L-12JL
描述 SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v Async SRAM 3.3v Multiplexer Switch ICs 8:1 CMOS Mid Voltage MUX SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 3.3v Async SRAM 3.3v Thin Film Resistors - SMD 1206 220Kohm 0.1% 25ppm Aluminum Organic Polymer Capacitors 35v 330uf 125degC 10 x 10.2mm SMD
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) - ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体)
Reach Compliance Code compliant compliant - compliant compliant compliant
Base Number Matches 1 1 - 1 1 1
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