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K4H561638F-TCCC

256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification

器件类别：存储    存储   

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2, TSSOP66,.46
针数
66
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.65 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
200 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G66
JESD-609代码
e0
长度
22.22 mm
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
66
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16MX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSSOP66,.46
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
电源
2.6 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
2,4,8
最大待机电流
0.004 A
最大压摆率
0.38 mA
最大供电电压 (Vsup)
2.7 V
最小供电电压 (Vsup)
2.5 V
标称供电电压 (Vsup)
2.6 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1
文档预览
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
DDR SDRAM
256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
Revision 1.1
Rev. 1.1 August. 2003
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
256Mb F-die Revision History
Revison 1.0 (June. 2003)
1. First release
Revison 1.1 (August. 2003)
1. Added x8 org (K4H560838F)
DDR SDRAM
Rev. 1.1 August. 2003
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Key Features
• 200MHz Clock, 400Mbps data rate.
• VDD= +2.6V + 0.10V, VDDQ= +2.6V + 0.10V
• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
• Bidirectional data strobe(DQS)
• Four banks operation
• Differential clock inputs(CK and CK)
• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
• MRS cycle with address key programs
-. Read latency 3 (clock) for DDR400 , 2.5 (clock) for DDR333
-. Burst length (2, 4, 8)
-. Burst type (sequential & interleave)
• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)
• Data I/O transactions on both edges of data strobe
• Edge aligned data output, center aligned data input
• LDM,UDM for write masking only (x16)
• Auto & Self refresh
• 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)
• Maximum burst refresh cycle : 8
• 66pin TSOP II package
DDR SDRAM
Ordering Information
Part No.
K4H560838F-TCCC
K4H560838F-TCC4
K4H561638F-TCCC
K4H561638F-TCC4
16M x 16
32M x 8
Org.
Max Freq.
CC(DDR400@CL=3)
C4(DDR400@CL=3)
CC(DDR400@CL=3)
C4(DDR400@CL=3)
SSTL2
66pin TSOP II
Interface
SSTL2
Package
66pin TSOP II
Operating Frequencies
- CC(DDR400@CL=3)
Speed @CL3
CL-tRCD-tRP
*CL : CAS Latency
200MHz
3-3-3
- C4(DDR400@CL=3)
200MHz
3-4-4
Rev. 1.1 August. 2003
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Pin Description
DDR SDRAM
16Mb x 16
32Mb x 8
V
DD
DQ
0
V
DDQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
DDQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
DQ
7
NC
V
DDQ
LDQS
NC
V
DD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP/A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
V
DD
DQ
0
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
DQ
3
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP/A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
V
SS
DQ
7
V
SSQ
NC
DQ
6
V
DDQ
NC
DQ
5
V
SSQ
NC
DQ
4
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
DQS
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
14
DQ
13
V
DDQ
DQ
12
DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
DDQ
DQ
8
NC
V
SSQ
UDQS
NC
V
REF
V
SS
UDM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
66Pin TSOPII
(400mil x 875mil)
(0.65mm Pin Pitch)
Bank Address
BA0~BA1
Auto Precharge
A10
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
256Mb Package Pinout
Organization
32Mx8
16Mx16
Row Address
A0~A12
A0~A12
Column Address
A0-A9
A0-A8
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Row & Column address configuration
Rev. 1.1 August. 2003
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Package Physical Demension
DDR SDRAM
Units : Millimeters
(0.80)
(0.50)
#66
#34
10.16±0.10
(1.50)
(10×)
(10×)
#1
(1.50)
#33
(0.80)
0.125
+0.075
-0.035
0.665±0.05
0.210±0.05
(0.50)
(R
0.
15
)
0.05 MIN
[
0.075 MAX ]
(10×)
NOTE
1. (
) IS REFERENCE
2. [
] IS ASS’Y OUT QUALITY
(R
(0.71)
0.65TYP
0.65±0.08
0.30±0.08
0.10 MAX
0.2
5)
0×~8×
66pin TSOPII / Package dimension
Rev. 1.1 August. 2003
(R
0.
25
)
(4
×
)
(R
0.1
5)
(10×)
1.20MAX
22.22±0.10
1.00±0.10
0.25TYP
0.45~0.75
11.76±0.20
(10.16)
查看更多>
参数对比
与K4H561638F-TCCC相近的元器件有：K4H560838F-TCC4、K4H560838F-TC、K4H560838F-TCCC、K4H561638F-TCC4。描述及对比如下：
型号 K4H561638F-TCCC K4H560838F-TCC4 K4H560838F-TC K4H560838F-TCCC K4H561638F-TCC4
描述 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
是否无铅 含铅 - - 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
包装说明 TSOP2, TSSOP66,.46 TSSOP, TSSOP66,.46 - TSSOP, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code compliant compli - compli compli
最大时钟频率 (fCLK) 200 MHz 200 MHz - 200 MHz 200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8 - 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 - R-PDSO-G66 R-PDSO-G66
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0
内存密度 268435456 bit 268435456 bi - 268435456 bi 268435456 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM - DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 8 - 8 16
端子数量 66 66 - 66 66
字数 16777216 words 33554432 words - 33554432 words 16777216 words
字数代码 16000000 32000000 - 32000000 16000000
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C
组织 16MX16 32MX8 - 32MX8 16MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSSOP - TSSOP TSOP2
封装等效代码 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 - TSSOP66,.46 TSSOP66,.46
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.6 V 2.6 V - 2.6 V 2.6 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 - 8192 8192
连续突发长度 2,4,8 2,4,8 - 2,4,8 2,4,8
最大待机电流 0.004 A 0.004 A - 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.38 mA 0.35 mA - 0.31 mA 0.38 mA
标称供电电压 (Vsup) 2.6 V 2.6 V - 2.6 V 2.6 V
表面贴装 YES YES - YES YES
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.635 mm - 0.635 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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