型号
- 型号
- 关键词
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48
厂商名称：SAMSUNG(三星)
厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档| 型号 | K6F4016S6F-EF700 | K6F4016S6F-EF850 |
|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 | Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA |
| 包装说明 | VFBGA, | VFBGA, |
| 针数 | 48 | 48 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 70 ns | 85 ns |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 |
| 长度 | 7 mm | 7 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 48 | 48 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 256KX16 | 256KX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA | VFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1 mm | 1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 宽度 | 6 mm | 6 mm |