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KBP302G

Bridge Rectifier Diode,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:DIOTEC

厂商官网:http://www.diotec.com/

器件标准:

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KBP302G 在线购买

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器件:KBP302G

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
DIOTEC
Reach Compliance Code
unknown
Base Number Matches
1
文档预览
KBP302G ... KBP310G
KBP302G ... KBP310G
Single Phase Bridge Rectifier
Einphasen-Brückengleichrichter
Version 2020-02-04
14.5 x 10.4 x 3.5
KBP
14.5
±0.2
±0.25
I
FAV
= 3 A
V
F
< 1.1 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 200...1000 V
I
FSM
= 65/75 A
t
rr
~ 1500 ns
3.5
±0.15
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies
Commercial grade
1
)
Features
Small package
4mm pitch
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Packed in cardboard trays
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
500
1.5 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL N/A
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen
Standardausführung
1
)
Besonderheit
Kleines Gehäuse
4mm Raster
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanische Daten
1
)
Verpackt in Einlagekartons
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
10.4
Type
Typ
+
~
~
2
_
±0.2
RoHS
±0.25
1.3
0.8
4
4
4
±0.1
1
±0.2
14.5
0.45
±0.1
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
2
)
Type
Typ
KBP302G
KBP304G
KBP306G
KBP308G
KBP310G
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
V
VRMS
[V]
3
)
140
280
420
560
700
EL
V
Pb
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
4
)
200
400
600
800
1000
EE
WE
Grenzwerte
2
)
Max. rectified output current free standing
Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend
Max. rectified current with forced cooling
Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung
Repetitive peak forw. current – Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Rating for fusing – Grenzlastintegral
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
R-load
C-load
R-load
C-load
f > 15 Hz
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
T
A
= 50°C
5
)
T
C
= 100°C
T
A
= 50°C
5
)
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
t < 10 ms
I
FAV
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
S
T
j
1.8 A
1.5 A
3.0 A
2.4 A
13 A
65 A
75 A
21 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
1
2
3
4
5
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
Eventual superimposed voltage peaks must not exceed V
RRM
– Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen V
RRM
nicht überschreiten
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept to ambient temperature T
A
= 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T
A
= 50°C gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
KBP302G ... KBP310G
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Reverse recovery time – Sperrverzug
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
F
= 3 A
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
t
rr
C
j
R
thA
R
thC
Kennwerte
< 1.1 V
1
)
< 5 µA
1
)
typ. 1500 ns
1
)
50 pF
1
)
< 40 K/W
2
)
< 10 K/W
I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to I
R
= 0.25 A
V
R
= 4 V
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
Thermal resistance junction to case (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)
Type
Typ
R
t 3)
~
_
~
+
C
L
4)
Recomm. protective resistance Admiss. load capacitor at R
t
Empf. Schutzwiderstand
Zul. Ladekondensator mit R
t
3
R
t
[Ω] )
C
L
[µF]
4
)
3
6
9
12
15
1600
830
550
410
330
KBP302G
KBP304G
KBP306G
KBP308G
KBP310G
120
[%]
100
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
80
T
j
= 25°C
60
1
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
I
F
10
-2
0.4
50a-(2a-1.1v)
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder
Internet
1
2
3
4
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept to ambient temperature T
A
= 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T
A
= 50°C gehalten werden
R
t
= V
RRM
/ I
FSM
R
t
is the equivalent resistance of any protective element which ensures that I
FSM
is not exceeded
R
t
ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von I
FSM
verhindert
C
L
= 5 ms / R
t
If the R
t
C
L
time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, C
L
can be charged mostly in a
single mains period. Hence, I
FSM
occurs as a single pulse only!
Falls die R
t
C
L
Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann C
L
nahezu in einer einzigen
Netzperiode geladen werden. I
FSM
tritt dann nur als Einzelpuls auf!
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
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参数对比
与KBP302G相近的元器件有:KBP304G、KBP306G、KBP308G、KBP310G。描述及对比如下:
型号 KBP302G KBP304G KBP306G KBP308G KBP310G
描述 Bridge Rectifier Diode, Bridge Rectifier Diode, Bridge Rectifier Diode, Bridge Rectifier Diode, Bridge Rectifier Diode,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 DIOTEC DIOTEC DIOTEC DIOTEC DIOTEC
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
Base Number Matches 1 1 1 - -
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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