KBU4D

Bridge Rectifier Diode, 4A, 200V V(RRM),

器件标准： Rohs认证

参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Galaxy Microelectronics

Reach Compliance Code

unknown

Is Samacsys

配置

BRIDGE, 4 ELEMENTS

二极管类型

BRIDGE RECTIFIER DIODE

最大正向电压 (VF)

1 V

最大非重复峰值正向电流

150 A

元件数量

最高工作温度

125 °C

最大输出电流

4 A

最大重复峰值反向电压

200 V

表面贴装

Base Number Matches

参数对比

与KBU4D相近的元器件有：KBU4J、KBU4K。描述及对比如下：

型号	KBU4D	KBU4J	KBU4K
描述	Bridge Rectifier Diode, 4A, 200V V(RRM),	Bridge Rectifier Diode, 4A, 600V V(RRM),	Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM),
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
Is Samacsys	N	N	N
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V
最大非重复峰值正向电流	150 A	150 A	150 A
元件数量	4	4	4
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
最大输出电流	4 A	4 A	4 A
最大重复峰值反向电压	200 V	600 V	800 V
表面贴装	NO	NO	NO
Base Number Matches	1	1	1

热门器件

器件捷径:

S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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