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KBU8G

8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
8 A, 400 V, 硅, 桥式整流二极管

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:BILIN

厂商官网:http://www.galaxycn.com/

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器件:KBU8G

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
4
元件数量
4
最大平均输入电流
8 A
加工封装描述
CASE KBU, 4 PIN
无铅
Yes
欧盟RoHS规范
Yes
状态
DISCONTINUED
包装形状
矩形的
包装尺寸
凸缘安装
端子形式
线
端子涂层
MATTE 锡
端子位置
单一的
包装材料
塑料/环氧树脂
结构
桥, 4 ELEMENTS
壳体连接
隔离
二极管元件材料
最大功耗极限
6.9 W
二极管类型
桥式整流二极管
相数
1
最大重复峰值反向电压
400 V
最大非重复峰值正向电流
300 A
参数对比
与KBU8G相近的元器件有:KBU8B、KBU8A、KBU8D、KBU8M、KBU8K、KBU8J。描述及对比如下:
型号 KBU8G KBU8B KBU8A KBU8D KBU8M KBU8K KBU8J
描述 8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 5.6 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE DIODE BRIDGE 800V 8A KBU BRIDGE RECTIFIER DIODE
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