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MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
厂商名称：SAMSUNG(三星)
厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档| 型号 | KM23V8100B-30 | KM23V8100BG-30 |
|---|---|---|
| 描述 | MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 | MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC |
| 包装说明 | DIP, DIP42,.6 | SOP, SOP44,.63 |
| 针数 | 42 | 44 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 300 ns | 300 ns |
| 备用内存宽度 | 16 | 16 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T42 | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 52.43 mm | 28.5 mm |
| 内存密度 | 8388608 bit | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | MASK ROM | MASK ROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 42 | 44 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1MX8 | 1MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP42,.6 | SOP44,.63 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 3.1 mm |
| 最大待机电流 | 0.00005 A | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | 12.6 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
