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KMM5361205C2WG

1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
零件包装代码
SIMM
包装说明
,
针数
72
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
60 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码
R-XSMA-N72
内存密度
37748736 bi
内存集成电路类型
EDO DRAM MODULE
内存宽度
36
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
72
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX36
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子位置
SINGLE
Base Number Matches
1
参数对比
与KMM5361205C2WG相近的元器件有:KMM5361205C2W。描述及对比如下:
型号 KMM5361205C2WG KMM5361205C2W
描述 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
零件包装代码 SIMM SIMM
针数 72 72
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72
内存密度 37748736 bi 37748736 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 36 36
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 72 72
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX36 1MX36
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 SINGLE SINGLE
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器件捷径:
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