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KRA104S-RTK/P

额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP,Vo=-50V,Io=-100mA

器件类别：分立半导体    三极管   

厂商名称：KEC

厂商官网：http://www.keccorp.com/

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器件参数
参数名称
属性值
额定功率
200mW
集电极电流Ic
100mA
集射极击穿电压Vce
50V
晶体管类型
PNP - 预偏压
文档预览
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING APPLICATION.
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.
FEATURES
・
With Built-in Bias Resistors.
・
Simplify Circuit Design.
・
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
KRA101S~KRA106S
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
L
E
B
L
2
A
G
H
3
1
Q
EQUIVALENT CIRCUIT
OUT
R1(4.7 k
IN
R2
BIAS RESISTOR VALUES
TYPE NO.
KRA101S
KRA102S
KRA103S
KRA104S
KRA105S
R1(kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2(kΩ)
4.7
10
C
N
P
P
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30 MAX
0.40+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
0.1 MAX
K
M
1. COMMON (EMITTER)
22
47
47
47
2. IN (BASE)
3. OUT (COLLECTOR)
COMMON(+)
KRA106S
SOT-23
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Output Voltage
KRA101S½106S
KRA101S
KRA102S
KRA103S
Input Voltage
KRA104S
KRA105S
KRA106S
Output Current
Power Dissipation
KRA101S½106S
Junction Temperature
Storage Temperature Range
I
O
P
D
T
j
T
stg
V
I
-40, 10
-12, 5
-20, 5
-100
200
150
-55½150
mA
mW
℃
℃
SYMBOL
V
O
RATING
-50
-20, 10
-30, 10
-40, 10
V
UNIT
V
MARK SPEC
TYPE
MARK
KRA101S KRA102S KRA103S KRA104S KRA105S KRA106S
PA
PB
PC
PD
PE
PF
Marking
Lot No.
Type Name
2008. 10. 29
Revision No : 4
J
D
1/6
KRA101S~KRA106S
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Output Cut-off Current
KRA101S½106S
KRA101S
KRA102S
KRA103S
DC Current Gain
KRA104S
KRA105S
KRA106S
Output Voltage
KRA101S½106S
KRA101S
KRA102S
KRA103S
Input Voltage (ON)
KRA104S
KRA105S
KRA106S
KRA101S½104S
Input Votlage (OFF)
KRA105S½106S
Transition Frequency
KRA101S½106S
KRA101S
KRA102S
KRA103S
Input Current
KRA104S
KRA105S
KRA106S
KRA101S
KRA102S
KRA103S
Input Resistor
KRA104S
KRA105S
KRA106S
KRA101S~104S
Resistor Ratio
KRA105S
KRA106S
Note : *Characteristic of Transistor Only
R2/R1
-
R1
-
32.9
1.54
3.29
0.8
17
8
47
2.2
4.7
1.0
21
10
61.1
2.86
6.11
1.2
26
12
I
I
V
I
=-5V
-
-
-
3.29
7
15.4
-
-
-
4.7
10
22
-0.18
-3.6
-1.8
6.11
13
28.6
kΩ
f
T
*
V
O
=-10V, I
O
=-5mA
V
I(OFF)
V
O
=-5V, I
O
=-0.1mA
-0.5
-
-
-
-
-0.65
200
-
-
-
-
-
-1.8
-0.88
-0.36
mA
MHz
V
I(ON)
V
O
=-0.2V, I
O
=-5mA
-
-
-
-1.0
-2.8
-0.8
-0.9
-1.2
-5.0
-1.1
-1.3
-
V
V
O(ON)
I
O
=-10mA, I
I
=-0.5mA
G
I
V
O
=-5V, I
O
=-10mA
80
80
80
-
-
-
-
200
200
200
-0.1
-1.5
-1.8
-2.1
-
-
-
-0.3
-2.0
-2.4
-3.0
V
V
SYMBOL
I
O(OFF)
TEST CONDITION
V
O
=-50V, V
I
=0
MIN.
-
30
50
70
TYP.
-
55
80
120
MAX.
-500
-
-
-
UNIT
nA
2008. 10. 29
Revision No : 4
2/6
KRA101S~KRA106S
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
KRA101S
KRA102S
Rise
Time
KRA103S
t
r
KRA104S
KRA105S
KRA106S
KRA101S
KRA102S
Switching
Time
Storage
Time
KRA103S
t
stg
KRA104S
KRA105S
KRA106S
KRA101S
KRA102S
Fall
Time
KRA103S
t
f
KRA104S
KRA105S
KRA106S
-
-
-
0.63
0.1
0.2
-
-
-
V
O
=-5V
V
IN
=-5V
R
L
=1kΩ
-
-
-
-
-
-
1.1
1.1
1.1
0.15
0.24
0.38
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.24
0.02
0.07
1.1
1.1
1.1
-
-
-
-
-
-
μ
S
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
-
-
-
TYP.
0.07
0.06
0.2
MAX.
-
-
-
UNIT
2008. 10. 29
Revision No : 4
3/6
KRA101S~KRA106S
2008. 10. 29
Revision No : 4
4/6
KRA101S~KRA106S
2008. 10. 29
Revision No : 4
5/6
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参数对比
与KRA104S-RTK/P相近的元器件有：KRA103S-RTK/P、KRA101S-RTK/P、KRA105S-RTK/P、KRA102S-RTK/P、KRA106S-RTK/P、KRA101S-RTK。描述及对比如下：
型号 KRA104S-RTK/P KRA103S-RTK/P KRA101S-RTK/P KRA105S-RTK/P KRA102S-RTK/P KRA106S-RTK/P KRA101S-RTK
描述 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP,Vo=-50V,Io=-100mA 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP Vo=-50V Io=-0.1A PD=0.2W R1=22K R2=22K 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP，Vceo=-50V,IC=-100mA,PD=200mW，内置偏压电阻 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP，Vceo=-50V,IC=-100mA,PD=200mW，内置偏压电阻 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP Vo=-50V Io=-0.1A PD=0.2W R1=10K R2=10K 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP，Vceo=-50V,IC=-100mA,PD=200mW，内置偏压电阻 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
额定功率 200mW 200mW 200mW 200mW 200mW - -
集电极电流Ic 100mA 100mA 100mA 100mA 100mA - -
集射极击穿电压Vce 50V 50V 50V 50V 50V - -
晶体管类型 PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 - -
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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