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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-213AB, GLASS, LL-41, MELF-2
| 型号 | LL5819 | LL5818 |
|---|---|---|
| 描述 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-213AB, GLASS, LL-41, MELF-2 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-213AB, GLASS, LL-41, MELF-2 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | GLASS, LL-41, MELF-2 | GLASS, LL-41, MELF-2 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | LOW POWER LOSS | LOW POWER LOSS |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.9 V | 0.88 V |
| JEDEC-95代码 | DO-213AB | DO-213AB |
| JESD-30 代码 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 25 A | 25 A |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C |
| 最大输出电流 | 1 A | 1 A |
| 封装主体材料 | GLASS | GLASS |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 40 V | 30 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | SCHOTTKY | SCHOTTKY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WRAP AROUND | WRAP AROUND |
| 端子位置 | END | END |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
