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M28C64C-150MS6TR

8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
SOIC
包装说明
0.300 INCH, PLASTIC, SO-28
针数
28
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
150 ns
JESD-30 代码
R-PDSO-G28
长度
17.9 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
8KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
PARALLEL
编程电压
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
2.65 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.5 mm
参数对比
与M28C64C-150MS6TR相近的元器件有:M28C64C-150N6TR、M28C64C-150MS1TR、M28C64C-200MS6TR、M28C64C-200MS1TR、M28C64C-200N6TR。描述及对比如下:
型号 M28C64C-150MS6TR M28C64C-150N6TR M28C64C-150MS1TR M28C64C-200MS6TR M28C64C-200MS1TR M28C64C-200N6TR
描述 8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 SOIC TSOP SOIC SOIC SOIC TSOP
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 LSSOP, SOP, SOP, SOP, LSSOP,
针数 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 150 ns 150 ns 150 ns 200 ns 200 ns 200 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28
长度 17.9 mm 11.8 mm 17.9 mm 17.9 mm 17.9 mm 11.8 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C - -40 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP LSSOP SOP SOP SOP LSSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.65 mm 1.25 mm 2.65 mm 2.65 mm 2.65 mm 1.25 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 0.55 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.55 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.5 mm 8 mm 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm 8 mm
其他特性 - 32 BYTE PAGE WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 40 YEARS 32 BYTE PAGE WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 40 YEARS 32 BYTE PAGE WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 40 YEARS 32 BYTE PAGE WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 40 YEARS 32 BYTE PAGE WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 40 YEARS
数据保留时间-最小值 - 40 40 40 40 40
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