M368L5623MTN,M368L5623MTN pdf中文资料,M368L5623MTN引脚图,M368L5623MTN电路-Datasheet-电子工程世界

文档预览

2GB Unbuffered DIMM

Preliminary

DDR SDRAM

DDR SDRAM Unbuffered Module

184pin Unbuffered Module based on 1Gb M-die

with 64/72-bit ECC/Non ECC

Revision 0.0

April 2004

Rev. 0.0 April 2004

2GB Unbuffered DIMM

Revision History

Revision 0.0 (April, 2004)

- First release

Preliminary

DDR SDRAM

Rev. 0.0 April 2004

2GB Unbuffered DIMM

184Pin Unbuffered DIMM based on 1Gb M-die (x8)

Ordering Information

Part Number

M368L5623MTN-C(L)B3/A2/B0

M381L5623MTM-C(L)B3/A2/B0

Density

2GB

Organization

128M x 64

128M x 72

Preliminary

DDR SDRAM

Component Composition

128Mx8 (K4H1G0838M) * 16EA

128Mx8 (K4H1G0838M) * 18EA

Height

1,250mil

Operating Frequencies

B3(DDR333@CL=2.5)

Speed @CL2

Speed @CL2.5

CL-tRCD-tRP

133MHz

166MHz

2.5-3-3

A2(DDR266@CL=2)

133MHz

2-3-3

B0(DDR266@CL=2.5)

100MHz

133MHz

2.5-3-3

Feature

• Power supply : Vdd: 2.5V

0.2V, Vddq: 2.5V

0.2V

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe [DQ] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16)

• Differential clock inputs(CK and CK)

• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

• Programmable Read latency 2, 2.5 (clock)

• Programmable Burst length (2, 4, 8)

• Programmable Burst type (sequential & interleave)

• Edge aligned data output, center aligned data input

• Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)

• Serial presence detect with EEPROM

• PCB : Height 1,250 (mil) & double sided

• SSTL_2 Interface

SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.

Rev. 0.0 April 2004

2GB Unbuffered DIMM

Pin Configuration (Front side/back side)

Front

VREF

DQ0

VSS

DQ1

DQS0

DQ2

VDD

DQ3

VSS

DQ8

DQ9

DQS1

VDDQ

CK1

/CK1

VSS

DQ10

DQ11

CKE0

VDDQ

DQ16

DQ17

DQS2

VSS

DQ18

VDDQ

DQ19

Front

DQ24

VSS

DQ25

DQS3

VDD

DQ26

DQ27

VSS

CB0

CB1

VDD

DQS8

CB2

VSS

CB3

BA1

Front

VDDQ

/WE

DQ41

/CAS

VSS

DQS5

DQ42

DQ43

VDD

*/CS2

DQ48

DQ49

VSS

/CK2

CK2

VDDQ

DQS6

DQ50

DQ51

VSS

VDDID

DQ56

DQ57

VDD

DQS7

DQ58

DQ59

VSS

SDA

SCL

100

101

102

103

104

105

106

107

108

109

110

111

112

113

114

115

116

117

118

119

120

121

122

123

Back

VSS

DQ4

DQ5

VDDQ

DM0

DQ6

DQ7

VSS

VDDQ

DQ12

DQ13

DM1

VDD

DQ14

DQ15

CKE1

VDDQ

*BA2

DQ20

A12

VSS

DQ21

A11

DM2

VDD

DQ22

DQ23

124

125

126

127

128

129

130

131

132

133

134

135

136

137

138

139

140

141

142

143

144

145

146

147

148

149

150

151

152

153

Back

VSS

DQ28

DQ29

VDDQ

DM3

DQ30

VSS

DQ31

CB4

CB5

VDDQ

CK0

/CK0

VSS

DM8

A10

CB6

VDDQ

CB7

Preliminary

DDR SDRAM

154

155

156

157

158

159

160

161

162

163

164

165

166

167

168

169

170

171

172

173

174

175

176

177

178

179

180

181

182

183

184

Back

/RAS

DQ45

VDDQ

/CS0

/CS1

DM5

VSS

DQ46

DQ47

*/CS3

VDDQ

DQ52

DQ53

A13

VDD

DM6

DQ54

DQ55

VDDQ

DQ60

DQ61

VSS

DM7

DQ62

DQ63

VDDQ

SA0

SA1

SA2

VDDSPD

KEY

DQ32

VDDQ

DQ33

DQS4

DQ34

VSS

BA0

DQ35

DQ40

KEY

VSS

DQ36

DQ37

VDD

DM4

DQ38

DQ39

VSS

DQ44

Note :

1. * : These pins are not used in this module.

2. Pins 44, 45, 47, 49, 51, 134, 135, 140, 142, 144 are used on x72 module ( M381~ ), and are not used on x64 module.

3. Pins 111, 158 are NC for 1row modules & used for 2row modules[ M368(81)L5623MTN(M) ].

Pin Description

Pin Name

A0 ~ A13

BA0 ~ BA1

DQ0 ~ DQ63

DQS0 ~ DQS8

CK0,CK0 ~ CK2, CK2

CKE0, CKE1(for double banks)

CS0, CS1(for double banks)

RAS

CAS

CB0 ~ CB7 (for x72 module)

Function

Address input (Multiplexed)

Bank Select Address

Data input/output

Data Strobe input/output

Clock input

Clock enable input

Chip select input

Row address strobe

Column address strobe

Write enable

Check bit(Data-in/data-out)

VDD

VDDQ

VSS

VREF

VDDSPD

SDA

SCL

SA0 ~ 2

Pin Name

DM0 ~ 7, 8(for ECC)

Data - in mask

Power supply (2.5V)

Power Supply for DQS(2.5V)

Ground

Power supply for reference

Serial EEPROM Power/Supply ( 2.3V to 3.6V )

Serial data I/O

Serial clock

Address in EEPROM

No connection

Function

Rev. 0.0 April 2004

2GB Unbuffered DIMM

Preliminary

DDR SDRAM

2GB, 256M x 64 Non ECC Module (M368L5623MTN)

(Populated as 2 bank of x8 DDR SDRAM Module)

Functional Block Diagram

CS1

CS0

DQS0

DM0

DM/

DQS

DM/

DQS

DQS4

DM4

DM/

DQS

DM/

DQS

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQS1

DM1

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

DQS5

DM5

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

D12

DM/

DQS

DM/

DQS

DM/

DQS

DM/

DQS

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

DQS2

DM2

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

DQS6

DM6

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

D13

DM/

DQS

DM/

DQS

DM/

DQS

DM/

DQS

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

DQS3

DM3

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

D10

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

DQS7

DM7

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

D14

DM/

DQS

DM/

DQS

DM/

DQS

DM/

DQS

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

D11

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

D15

D3/D0/D5

DDSPD

SPD

Serial PD

SCL

SA0

SA1

SA2

SDA

VREF

DDQ

D11/D8/D13

D0 - D15

R=120

Ω

CK0/1/2

Card

Edge

*Cap/D1/D6

Cap/D9/D14

D4/D2/D7

D12/D10/D15

BA0 - BA1

A0 - A13

RAS

CAS

CKE 0/1

BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D15

* Clock Wiring

A0-A13: DDR SDRAMs D0 - D15

RAS : DDR SDRAMs D0 - D15

CAS : DDR SDRAMs D0 - D15

CKE : DDR SDRAMs D0 - D15

WE : DDR SDRAMs D0 - D15

Clock

Input

*CK0/CK0

*CK1/CK1

*CK2/CK2

DDR SDRAMs

4 DDR SDRAMs

6 DDR SDRAMs

Notes :

1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended

but may be changed.

2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be

maintained as shown.

3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.

4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 3 Ohms +

*Clock Net Wiring

Rev. 0.0 April 2004

参数对比

与M368L5623MTN相近的元器件有：M381L5623MTN、M381L5623MTM-CB0、M381L5623MTM-CB3、M381L5623MTM-CA2、M368L5623MTN-CB3、M368L5623MTN-CA2、M368L5623MTN-CB0。描述及对比如下：

型号	M368L5623MTN	M381L5623MTN	M381L5623MTM-CB0	M381L5623MTM-CB3	M381L5623MTM-CA2	M368L5623MTN-CB3	M368L5623MTN-CA2	M368L5623MTN-CB0
描述	DDR SDRAM Unbuffered Module	DDR SDRAM Unbuffered Module	DDR SDRAM Unbuffered Module	DDR SDRAM Unbuffered Module	DDR SDRAM Unbuffered Module	DDR SDRAM Unbuffered Module	DDR SDRAM Unbuffered Module	DDR SDRAM Unbuffered Module
是否Rohs认证	-	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	-	-	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	-	-	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	-	-	184	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	-	-	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	-	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	-	-	0.75 ns	0.7 ns	0.75 ns	0.7 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	-	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	-	-	133 MHz	166 MHz	133 MHz	166 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	-	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	-	-	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	-	-	9663676416 bi	9663676416 bi	9663676416 bi	8589934592 bi	8589934592 bi	8589934592 bi
内存集成电路类型	-	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	-	-	72	72	72	64	64	64
功能数量	-	-	1	1	1	1	1	1
端口数量	-	-	1	1	1	1	1	1
端子数量	-	-	184	184	184	184	184	184
字数	-	-	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words
字数代码	-	-	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000
工作模式	-	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	-	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	-	-	128MX72	128MX72	128MX72	128MX64	128MX64	128MX64
输出特性	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	-	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	-	-	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	-	-	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	-	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	-	-	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	-	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	-	-	0.108 A	0.108 A	0.108 A	0.096 A	0.096 A	0.096 A
最大压摆率	-	-	3.825 mA	4.41 mA	3.825 mA	3.92 mA	3.4 mA	3.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	-	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	-	-	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	-	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	-	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	-	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	-	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	-	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	-	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	-	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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本文作者：Ryan Curran ADI公司精密转换器部门产品应用工程师以低吞吐量运行SAR ADC可以实现多种优势。通过增加转换操作之间的时间，可以放宽系统滤波器要求，增加获取输入信号及从ADC抽取数据的时间。由于ADC的采集周期是转换周期中读取数据最常用的区域，因此，延长采集周期将放宽数字主机的要求。可以采用主机输出-从机输入(MOSI)时钟速率较慢的低端处理器。例如，AD79...[详细]
便携式与汽车压缩音视频解决方案

今天，压缩音频娱乐的迅猛增长已经不只限于家庭和便携式设备市场。事实上，数字和“软”音频产品正在迅速进入汽车行业，卫星广播和mp3播放器的车载连接就是一个很好的例证。消费者期待在自己的汽车中也能得到与便携式设备和家庭娱乐设备相同的娱乐体验。因此，支持汽车与便携式设备之间的简单接口的单平台技术，将是满足娱乐需求的关键。本文将结合飞思卡尔半导体的scf5250音频处理器以及新近推出的软件库和参...[详细]
京东企业业务中标国家电网服务泛在电力物联网建设

2019年初，国家电网公司召开工作会议，对建设泛在电力物联网作出全面部署安排，加快推进“三型两网、世界一流”战略落地实施。国家电网定义：泛在电力物联网建设，是国家电网当前最重要、最紧迫的任务。国家电网在其2019年“两会”首次提出“泛在电力物联网”，并将其上升到与“坚强智能电网”相当的高度。《泛在电力物联网建设大纲》指出，“泛在电力物联网” 要将电力用户及其设备，电网企业及其设备，发电企...[详细]
PIC8位单片机源程序的组成

PIC系列单片机的源程序是指PIC的助记符指令编写的程序(汇编语言程序)。这里将对PIC源程序的格式要求和其源程序的建立或书写作简要的介绍。　　一般来说对PIC单片机的源程序格式并没有要求统一的编写形式，用户可以根据习惯来编写，当然编写时应遵守汇编的一些规范。下面以PIC16F84芯片点亮一支发光二极管的汇编程序实例，介绍一种源程序编写的方法(格式)，以供实际应用时参考。　　源程序清...[详细]
英飞凌将雷达技术应用于中级车

超过1,000欧元的汽车雷达系统由于价格过于昂贵，至今只出现在豪华高端车辆的装备列表中。这些系统的尺寸通常为10x20cm，需要占用汽车翼子板大量空间。英飞凌近日推出全新雷达系统IC（RASIC），预计可于2010年年中为中级车带来中远距离汽车雷达系统。英飞凌的第一款雷达芯片RXN7740是适用于76-77GHz频率范围的高度集成前端芯片，包括振荡器功能块、功率放大器和4个适用于多个天线的混...[详细]
韩国Fabless半导体产业陷危机

电子网消息，韩国半导体产业看似风光，虽然三星、海力士等存储器厂获利创新高，但在此同时，主要无厂IC设计厂商上获利半年表现却不如去年，形成强烈对比。韩国媒体Businesskorea报导，在韩国创业板市场（KODAQ）挂牌交易的十五大无厂IC设计商中，有十家上半年营业利润呈现衰退，每十家有五家出现亏损，仅有两家营收、获利成长。报导特别点名LCD面板核心零件时序控制IC，以及驱动IC设计业者上半...[详细]
CRT彩色显示器检修一则

LED的散热现在越来越为人们所重视，这是因为LED的光衰或其寿命是直接和其结温有关，散热不好结温就高，寿命就短，依照阿雷纽斯法则温度每降低10℃寿命会延长2倍。从Cree公司发布的光衰和结温的关系图（图1）中可以看出，结温假如能够控制在65°C，那么其光衰至70％的寿命可以高达10万小时！这是人们梦寐以求的寿命，可是真的可以实现吗？是的，只要能够认真地处理它的散热问题就有可能做到！遗憾...[详细]
具备「蓝牙5」技术的智能手机上市

最新的蓝牙5技术推出不到一年时间即获得全球两大智能型手机龙头采纳苹果(Apple)日前宣布新款iPhone 8、8 Plus与iPhone X，皆支持蓝牙技术联盟(Bluetooth Special Interest Group，SIG)最新蓝牙核心规格版本「蓝牙5」(Bluetooth 5)，提供优异的无线连接能力；而三星(Samsung)今年度新机Galaxy S8、S8+与Galaxy ...[详细]