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M5M4V4S40CTP-12

4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Mitsubishi(日本三菱)

厂商官网:http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2, TSOP50,.46,32
针数
50
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
12 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
83 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G50
JESD-609代码
e0
长度
20.95 mm
内存密度
4194304 bi
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
50
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP50,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.002 A
最大压摆率
0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10.16 mm
参数对比
与M5M4V4S40CTP-12相近的元器件有:M5M4V4S40CTP-15。描述及对比如下:
型号 M5M4V4S40CTP-12 M5M4V4S40CTP-15
描述 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP50,.46,32 TSOP2, TSOP50,.46,32
针数 50 50
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 12 ns 15 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 83 MHz 67 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50
JESD-609代码 e0 e0
长度 20.95 mm 20.95 mm
内存密度 4194304 bi 4194304 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 50 50
字数 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 256KX16 256KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP50,.46,32 TSOP50,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.13 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm
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