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M5M5V1001BP-20

Standard SRAM, 1MX1, 20ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Mitsubishi(日本三菱)

厂商官网:http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP28,.4
针数
28
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
3A991.B.2.B
最长访问时间
20 ns
备用内存宽度
4
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDIP-T28
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bi
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX1
输出特性
3-STATE
可输出
NO
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.4
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.001 A
最小待机电流
3 V
最大压摆率
0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.63 V
最小供电电压 (Vsup)
2.97 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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参数对比
与M5M5V1001BP-20相近的元器件有:M5M5V1001BJ-25、M5M5V1001BJ-25T、M5M5V1001BP-25、M5M5V1001BJ-20、M5M5V1001BJ-20T、M5M5V1001BJ-30、M5M5V1001BJ-30T、M5M5V1001BP-30。描述及对比如下:
型号 M5M5V1001BP-20 M5M5V1001BJ-25 M5M5V1001BJ-25T M5M5V1001BP-25 M5M5V1001BJ-20 M5M5V1001BJ-20T M5M5V1001BJ-30 M5M5V1001BJ-30T M5M5V1001BP-30
描述 Standard SRAM, 1MX1, 20ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 1MX1, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Standard SRAM, 1MX1, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Standard SRAM, 1MX1, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Standard SRAM, 1MX1, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Standard SRAM, 1MX1, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28
零件包装代码 DIP SOJ SOJ DIP SOJ SOJ SOJ SOJ DIP
包装说明 DIP, DIP28,.4 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, DIP, DIP28,.4 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ, SOJ28,.44 SOJ, DIP, DIP28,.4
针数 28 28 28 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknown unknown unknow unknow unknow
ECCN代码 3A991.B.2.B EAR99 EAR99 EAR99 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 20 ns 25 ns 25 ns 25 ns 20 ns 20 ns 30 ns 30 ns 30 ns
备用内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4 4
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDIP-T28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDIP-T28
内存密度 1048576 bi 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOJ SOJ DIP SOJ SOJ SOJ SOJ DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.97 V 2.97 V 2.97 V 2.97 V 2.97 V 2.97 V 2.97 V 2.97 V 2.97 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO YES YES NO YES YES YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE J BEND J BEND J BEND J BEND THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合 - 不符合
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) - - Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE - SEPARATE SEPARATE - SEPARATE - SEPARATE
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 - e0 - e0
封装等效代码 DIP28,.4 SOJ28,.44 - DIP28,.4 SOJ28,.44 - SOJ28,.44 - DIP28,.4
电源 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V - 3.3 V - 3.3 V
最大待机电流 0.001 A 0.001 A - 0.001 A 0.001 A - 0.001 A - 0.001 A
最小待机电流 3 V 3 V - 3 V 3 V - 3 V - 3 V
最大压摆率 0.1 mA 0.09 mA - 0.09 mA 0.1 mA - 0.08 mA - 0.08 mA
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距 2.54 mm 1.27 mm - 2.54 mm 1.27 mm - 1.27 mm - 2.54 mm
热门器件
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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