64 Mbit (4M x16) 1.8V Supply, 80MHz Clock Rate, Burst PSRAM
厂商名称:ST(意法半导体)
厂商官网:http://www.st.com/
下载文档型号 | M69KB096AA85AW8 | M69KB096AA | M69KB096AA70CW8 |
---|---|---|---|
描述 | 64 Mbit (4M x16) 1.8V Supply, 80MHz Clock Rate, Burst PSRAM | 64 Mbit (4M x16) 1.8V Supply, 80MHz Clock Rate, Burst PSRAM | 64 Mbit (4M x16) 1.8V Supply, 80MHz Clock Rate, Burst PSRAM |
厂商名称 | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | WAFER | - | WAFER |
包装说明 | WAFER | - | WAFER |
Reach Compliance Code | compli | - | compli |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | - | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 85 ns | - | 70 ns |
I/O 类型 | COMMON | - | COMMON |
JESD-30 代码 | X-XUUC-N | - | X-XUUC-N |
内存密度 | 67108864 bi | - | 67108864 bi |
内存集成电路类型 | PSEUDO STATIC RAM | - | PSEUDO STATIC RAM |
内存宽度 | 16 | - | 16 |
功能数量 | 1 | - | 1 |
字数 | 4194304 words | - | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 | - | 4000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C |
最低工作温度 | -30 °C | - | -30 °C |
组织 | 4MX16 | - | 4MX16 |
输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIE | - | DIE |
封装等效代码 | WAFER | - | WAFER |
封装形状 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
封装形式 | UNCASED CHIP | - | UNCASED CHIP |
并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL |
电源 | 1.8 V | - | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.00012 A | - | 0.00012 A |
最大压摆率 | 0.035 mA | - | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | - | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | - | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | 1.8 V |
表面贴装 | YES | - | YES |
技术 | CMOS | - | CMOS |
温度等级 | OTHER | - | OTHER |
端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD |
端子位置 | UPPER | - | UPPER |