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M74HC386B1R

HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDIP14
HC/UH系列, 四 2输入 异或门, PDIP14

器件类别:逻辑    逻辑   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
DIP
包装说明
PLASTIC, DIP-14
针数
14
Reach Compliance Code
compli
Is Samacsys
N
系列
HC/UH
JESD-30 代码
R-PDIP-T14
JESD-609代码
e3
负载电容(CL)
50 pF
逻辑集成电路类型
XOR GATE
最大I(ol)
0.004 A
功能数量
4
输入次数
2
端子数量
14
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP14,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
包装方法
TUBE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Su
29 ns
传播延迟(tpd)
145 ns
认证状态
Not Qualified
施密特触发器
NO
座面最大高度
5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)
6 V
最小供电电压 (Vsup)
2 V
标称供电电压 (Vsup)
4.5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与M74HC386B1R相近的元器件有:M74HC386M1R、M74HC386C1R、M74HC386、M54HC386F1R、M54HC386。描述及对比如下:
型号 M74HC386B1R M74HC386M1R M74HC386C1R M74HC386 M54HC386F1R M54HC386
描述 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDIP14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDIP14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDIP14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDIP14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDIP14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDIP14
系列 HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH
功能数量 4 4 4 4 4 4
端子数量 14 14 20 14 14 14
温度等级 MILITARY MILITARY INDUSTRIAL MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL QUAD DUAL DUAL DUAL
是否Rohs认证 符合 符合 符合 - 不符合 -
零件包装代码 DIP SOIC QFN - DIP -
包装说明 PLASTIC, DIP-14 SOP, SOP14,.25 PLASTIC, CC-20 - DIP, DIP14,.3 -
针数 14 14 20 - 14 -
Reach Compliance Code compli compli compli - _compli -
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14 S-PQCC-J20 - R-GDIP-T14 -
JESD-609代码 e3 e4 e3 - e0 -
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF - 50 pF -
逻辑集成电路类型 XOR GATE XOR GATE XOR GATE - XOR GATE -
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A - 0.004 A -
输入次数 2 2 2 - 2 -
最高工作温度 125 °C 125 °C 85 °C - 125 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -40 °C - -55 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - CERAMIC, GLASS-SEALED -
封装代码 DIP SOP QCCJ - DIP -
封装等效代码 DIP14,.3 SOP14,.25 LDCC20,.4SQ - DIP14,.3 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE - RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE CHIP CARRIER - IN-LINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
电源 2/6 V 2/6 V 2/6 V - 2/6 V -
Prop。Delay @ Nom-Su 29 ns 29 ns 25 ns - 29 ns -
传播延迟(tpd) 145 ns 145 ns 25 ns - 29 ns -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified -
施密特触发器 NO NO NO - NO -
座面最大高度 5.1 mm 1.75 mm 4.57 mm - 5.08 mm -
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V 6 V - 6 V -
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 2 V - 2 V -
标称供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 5 V - 5 V -
表面贴装 NO YES YES - NO -
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS -
端子面层 Matte Tin (Sn) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Matte Tin (Sn) - Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm - 2.54 mm -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
宽度 7.62 mm 3.9 mm 8.9662 mm - 7.62 mm -
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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