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M93C76-BN6

EEPROM 8K (1Kx8 or 512x16)

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

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器件:M93C76-BN6

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
DIP
包装说明
PLASTIC, DIP-8
针数
8
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
备用内存宽度
8
最大时钟频率 (fCLK)
2 MHz
数据保留时间-最小值
40
耐久性
1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e0
长度
9.27 mm
内存密度
8192 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
16
功能数量
1
端子数量
8
字数
512 words
字数代码
512
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
512X16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
SERIAL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.33 mm
串行总线类型
MICROWIRE
最大待机电流
0.000015 A
最大压摆率
0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)
5 ms
写保护
SOFTWARE
文档预览
M93C86-125 M93C76-125 M93C66-125
M93C56-125 M93C46-125
Automotive 16-Kbit, 8-Kbit, 4-Kbit, 2-Kbit and 1-Kbit
(8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE serial EEPROM
Datasheet
production data
Features
Industry standard MICROWIRE
TM
bus
Memory array: 1 Kb, 2Kb, 4Kb, 8 Kb or 16 Kb
Dual organization: by word (x16) or byte (x8)
Write
– Byte within 5 ms
– Word within 5 ms
READY/BUSY signal during programming
2 MHz clock rate
Sequential read operation
Single supply voltage: 4.5 V to 5.5 V or 2.5 V
to 5.5 V
Operating temperature range: -40°c up to
125°C
Enhanced ESD protection
More than 1 million Write cycles
More than 40-year data retention
Packages
– SO8, TSSOP8 packages: RoHS-compliant
and Halogen-free (ECOPACK2
®
)
– PDIP8 package: RoHS-compliant
(ECOPACK1
®
)
TSSOP8 (DW)
169 mil width
SO8 (MN)
150 mil width
PDIP8 (BN)
March 2012
This is information on a product in full production.
Doc ID 022572 Rev 1
1/32
www.st.com
1
Contents
M93C86-125 M93C76-125 M93C66-125 M93C56-125 M93C46-125
Contents
1
2
3
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Connecting to the serial bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Operating features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3.1
Supply voltage (V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3.1.1
3.1.2
3.1.3
3.1.4
Operating supply voltage (V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Power-up conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Power-up and device reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Power-down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
4
5
Memory organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Instructions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
Read Data from Memory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Write Enable and Write Disable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Erase Byte or Word . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Write . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Erase All . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Write All . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
6
7
8
9
10
11
12
READY/BUSY status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
Initial delivery state . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
Common I/O operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
Clock pulse counter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Maximum rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2/32
Doc ID 022572 Rev 1
M93C86-125 M93C76-125 M93C66-125 M93C56-125 M93C46-125
Contents
13
14
Part numbering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
Doc ID 022572 Rev 1
3/32
List of tables
M93C86-125 M93C76-125 M93C66-125 M93C56-125 M93C46-125
List of tables
Table 1.
Table 2.
Table 3.
Table 4.
Table 5.
Table 6.
Table 7.
Table 8.
Table 9.
Table 10.
Table 11.
Table 12.
Table 13.
Table 14.
Table 15.
Table 16.
Table 17.
Table 18.
Table 19.
Table 20.
Table 21.
Memory size versus organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Instruction set for the M93Cx6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Instruction set for the M93C46 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Instruction set for the M93C56 and M93C66 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Instruction set for the M93C76 and M93C86 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Operating conditions (M93Cx6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Operating conditions (M93Cx6-W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
AC measurement conditions (M93Cx6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
AC measurement conditions (M93Cx6-W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
DC characteristics (M93Cx6, device grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
DC characteristics (M93Cx6-W, device grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
AC characteristics (M93Cx6, device grade 3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
AC characteristics (M93Cx6-W, device grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
PDIP8 – 8 lead plastic dual in-line package, 300 mils body width, package
mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
SO8 narrow – 8 lead plastic small outline, 150 mils body width, package data . . . . . . . . . 28
TSSOP8 – 8 lead thin shrink small outline, package mechanical data. . . . . . . . . . . . . . . . 29
Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4/32
Doc ID 022572 Rev 1
M93C86-125 M93C76-125 M93C66-125 M93C56-125 M93C46-125
List of figures
List of figures
Figure 1.
Figure 2.
Figure 3.
Figure 4.
Figure 5.
Figure 6.
Figure 7.
Figure 8.
Figure 9.
Figure 10.
Figure 11.
Figure 12.
Figure 13.
Figure 14.
Logic diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
DIP, SO and TSSOP connections (top view) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Bus master and memory devices on the serial bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
READ, WRITE, WEN, WDS sequences . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
ERASE, ERAL sequences . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
WRAL sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Write sequence with one clock glitch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
AC testing input output waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Synchronous timing (start and op-code input) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Synchronous timing (Read or Write). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Synchronous timing (Read or Write). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
PDIP8 – 8 lead plastic dual in-line package, 300 mils body width, package
outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
SO8 narrow – 8 lead plastic small outline, 150 mils body width, package outline . . . . . . . 28
TSSOP8 – 8 lead thin shrink small outline, package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Doc ID 022572 Rev 1
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参数对比
与M93C76-BN6相近的元器件有:M93C86-WBN6、M93C76-WMN6。描述及对比如下:
型号 M93C76-BN6 M93C86-WBN6 M93C76-WMN6
描述 EEPROM 8K (1Kx8 or 512x16) EEPROM 16K (2Kx8 or 1Kx16) EEPROM 8K (1Kx8 or 512x16)
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 DIP DIP SOIC
包装说明 PLASTIC, DIP-8 PLASTIC, DIP-8 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
针数 8 8 8
Reach Compliance Code not_compliant unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
备用内存宽度 8 8 8
最大时钟频率 (fCLK) 2 MHz 2 MHz 2 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 9.27 mm 9.27 mm 4.9 mm
内存密度 8192 bit 16384 bit 8192 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端子数量 8 8 8
字数 512 words 1024 words 512 words
字数代码 512 1000 512
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512X16 1KX16 512X16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL
电源 5 V 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.33 mm 5.33 mm 1.75 mm
串行总线类型 MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE
最大待机电流 0.000015 A 0.000002 A 0.00001 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA 0.0015 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - TIN LEAD
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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