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MC-428LFF721FB-A50

EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, MOS, DIM-168

器件类别:存储    存储   

厂商名称:NEC(日电)

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
NEC(日电)
零件包装代码
DIMM
包装说明
,
针数
168
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
50 ns
JESD-30 代码
R-XDMA-N168
内存密度
603979776 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM MODULE
内存宽度
72
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
168
字数
8388608 words
字数代码
8000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8MX72
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
文档预览
DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-428LFF721
3.3 V OPERATION 8M-WORD BY 72-BIT DYNAMIC RAM MODULE
UNBUFFERED TYPE, EDO
Description
The MC-428LFF721 is a 8,388,608 words by 72 bits dynamic RAM module on which 9 pieces of 64M DRAM :
µ
PD4264805 are assembled.
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
• Unbuffered type
• EDO (Hyper page mode)
• 8,388,608 words by 72 bits organization
• Fast access and cycle time
Family
Access time
(MAX.)
MC-428LFF721-A50
MC-428LFF721-A60
50 ns
60 ns
R/W cycle time
(MIN.)
84 ns
104 ns
EDO (Hyper page mode)
cycle time (MIN.)
20 ns
25 ns
Power consumption (MAX.)
Active
3.40 W
3.08 W
Standby
16.2 mW
(CMOS level input)
• Refresh cycle
Family
MC-428LFF721-A50
MC-428LFF721-A60
Refresh cycle
8,192 cycles / 64 ms
4,096 cycles / 64 ms
Refresh
/RAS only refresh, Normal read / write
/CAS before /RAS refresh, Hidden refresh
• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)
• Single +3.3 V ± 0.3 V power supply
• Serial PD
The information in this document is subject to change without notice.
Document No. M11912EJ3V0DS00 (3rd edition)
Date Published October 1997 NS
Printed in Japan
The mark
Z
shows major revised points.
©
1996
MC-428LFF721
Ordering Information
Part number
Access time
(MAX.)
MC-428LFF721FH-A50
MC-428LFF721FH-A60
MC-428LFF721FB-A50
MC-428LFF721FB-A60
50 ns
60 ns
50 ns
60 ns
168-pin Dual In-line Memory Module
(Socket Type)
Edge connector : Gold plated
9 pieces of
µ
PD4264805G5
(400 mil TSOP(II))
[Single side]
9 pieces of
µ
PD4264805LE
(400 mil SOJ)
[Single side]
Package
Mounted devices
2
MC-428LFF721
Pin Configuration
168-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)
[ MC-428LFF721FH, 428LFF721FB ]
/XXX indicates active low signal.
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
GND
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
Vcc
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQ 40
GND
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
Vcc
DQ 46
DQ 47
CB4
CB5
GND
NC
NC
Vcc
NC
/CAS4
/CAS5
NC
NC
GND
A1
A3
A5
A7
A9
A11
NC
Vcc
NC
NC
GND
NC
NC
/CAS6
/CAS7
NC
Vcc
NC
NC
CB6
CB7
GND
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
Vcc
DQ 52
NC
NC
NC
GND
DQ 53
DQ 54
DQ 55
GND
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
Vcc
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
GND
NC
NC
SA0
SA1
SA2
Vcc
GND
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
Vcc
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 8
GND
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
Vcc
DQ 14
DQ 15
CB0
CB1
GND
NC
NC
Vcc
/WE0
/CAS0
/CAS1
/RAS0
/OE0
GND
A0
A2
A4
A6
A8
A10
A12
Vcc
Vcc
NC
GND
/OE2
/RAS2
/CAS2
/CAS3
/WE2
Vcc
NC
NC
CB2
CB3
GND
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
Vcc
DQ 20
NC
NC
NC
GND
DQ 21
DQ 22
DQ 23
GND
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
Vcc
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
GND
NC
NC
NC
SDA
SCL
Vcc
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
A0 - A12
: Address Inputs
[ Row : A0 - A12, Column : A0 - A9 ]
DQ0 - DQ63
: Data Inputs / Outputs
/RAS0, /RAS2 : Row Address Strobe
/CAS0 - /CAS7 : Column Address Strobe
/WE0, /WE2
/OE0, /OE2
SDA
SCL
SA0 - SA2
CB0 - CB7
V
CC
GND
NC
: Write Enable
: Output Enable
: Serial Data I/O for PD
: Clock Input for PD
: Address Input for EEPROM
: Check Bits
: Power Supply
: Ground
: No Connection
3
MC-428LFF721
Block Diagram
/RAS0
/OE0
/WE0
/CAS0
/RAS2
/OE2
/WE2
/CAS4
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/CAS1
DQ 1
/CAS /RAS/WE /OE
DQ 2
DQ 3
DQ 4
D0
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 8
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
/CAS5
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/CAS/RAS/WE /OE
D5
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ 0
/CAS/RAS/WE /OE
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D1
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
/CAS6
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/CAS/RAS/WE /OE
D6
CB 0
CB 1
CB 2
CB 3
CB 4
CB 5
CB 6
CB 7
DQ 0
/CAS/RAS/WE /OE
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D2
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQ 0
/CAS/RAS/WE /OE
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D7
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/CAS2
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQ 0
/CAS/RAS/WE /OE
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/CAS7
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 0
/CAS/RAS/WE /OE
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D8
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/CAS3
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/CAS/RAS/WE /OE
D4
A0 - A12
V
CC
GND
A0 - A12 : D0 - D8
D0 - D8
D0 - D8
SCL
SERIAL PD
SDA
A0
A1
A2
SA0 SA1 SA2
Remark
D0 - D8 :
µ
PD4264805 (8M words by 8 bits organization)
4
MC-428LFF721
Electrical Specifications
• All voltages are referenced to GND.
• After power up (V
CC
V
CC (MIN.)
), wait more than 100
µ
s (/RAS, /CAS inactive) and then, execute eight /CAS before
/RAS or /RAS only refresh cycles as dummy cycles to initialize internal circuit.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on any pin relative to GND
Supply voltage
Output current
Power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Symbol
V
T
V
CC
I
O
P
D
T
A
T
stg
Condition
Rating
−0.5
to +4.6
−0.5
to +4.6
50
9
0 to +70
−55
to +125
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
Caution
Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
Parameter
Supply voltage
High level input voltage
Low level input voltage
Operating ambient temperature
Symbol
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
Condition
MIN.
3.0
2.0
−0.3
0
TYP.
3.3
MAX.
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.8
70
Unit
V
V
V
°C
Capacitance (T
A
= 25
°C,
f = 1 MHz)
Parameter
Input capacitance
Symbol
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
Data input / output capacitance
C
I/O
Test condition
A0 - A12
/RAS0, /RAS2
/CAS0 - /CAS7
/WE0, /WE2
/OE0, /OE2
DQ0 - DQ63, CB0 - CB7
MIN.
TYP.
MAX.
90
50
35
50
50
30
pF
Unit
pF
5
查看更多>
参数对比
与MC-428LFF721FB-A50相近的元器件有:MC-428LFF721FH-A60、MC-428LFF721FH-A50。描述及对比如下:
型号 MC-428LFF721FB-A50 MC-428LFF721FH-A60 MC-428LFF721FH-A50
描述 EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, MOS, DIM-168 EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, MOS, DIM-168 EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, MOS, DIM-168
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
针数 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 60 ns 50 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX72 8MX72 8MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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