DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-458CB641ES, 458CB641PS
8M-WORD BY 64-BIT
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
Description
The MC-458CB641ES and MC-458CB641PS are 8,388,608 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module
(Small Outline DIMM) on which 4 pieces of 128M SDRAM:
µ
PD45128163 are assembled.
These modules provide high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
•
8,388,608 words by 64 bits organization
•
Clock frequency and access time from CLK
Part number
MC-458CB641ES-A80
/CAS latency
CL = 3
CL = 2
MC-458CB641ES-A10
CL = 3
CL = 2
Clock frequency (MAX.)
125 MHz
100 MHz
100 MHz
77 MHz
125 MHz
100 MHz
100 MHz
77 MHz
Access time from CLK (MAX.)
6 ns
6 ns
6 ns
7 ns
6 ns
6 ns
6 ns
7 ns
5
MC-458CB641PS-A80
CL = 3
CL = 2
5
MC-458CB641PS-A10
CL = 3
CL = 2
•
Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
•
Pulsed interface
•
Possible to assert random column address in every cycle
•
Quad internal banks controlled by BA0, BA1 (Bank Select)
•
Programmable burst-length: 1, 2, 4, 8 and Full Page
•
Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)
•
Programmable /CAS latency (2, 3)
•
Automatic precharge and controlled precharge
•
CBR (Auto) refresh and self refresh
•
Single 3.3 V
±0.3
V power supply
•
LVTTL compatible
•
4,096 refresh cycles/64 ms
•
Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
•
144-pin small outline dual in-line memory module (Pin pitch = 0.8 mm)
•
Unbuffered type
•
Serial PD
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Document No. M14015EJ4V0DS00 (4th edition)
Date Published February 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
•
shows major revised points.
©
1999
MC-458CB641ES, 458CB641PS
Ordering Information
Part number
Clock frequency
MHz (MAX.)
MC-458CB641ES-A80
125 MHz
144-pin Small Outline DIMM
(Socket Type)
MC-458CB641ES-A10
100 MHz
Edge connector: Gold plated
25.4 mm height
4 pieces of
µ
PD45128163G5 (Rev. P)
(10.16mm (400) TSOP (II))
4 pieces of
µ
PD45128163G5 (Rev. E)
(10.16mm (400) TSOP (II))
Package
Mounted devices
5
5
MC-458CB641PS-A80
125 MHz
MC-458CB641PS-A10
100 MHz
2
Data Sheet M14015EJ4V0DS00
MC-458CB641ES, 458CB641PS
Pin Configuration
144-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
Vss
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
Vcc
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
Vss
DQMB4
DQMB5
Vcc
A3
A4
A5
Vss
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
Vcc
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
Vss
NC
NC
Vss
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
V
CC
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
Vss
DQMB0
DQMB1
V
CC
A0
A1
A2
Vss
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
V
CC
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
Vss
NC
NC
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
/xxx indicates active low signal.
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
CLK0
CKE0
Vcc
Vcc
/RAS
/CAS
/WE
NC
/CS0
NC
NC
NC
NC
CLK1
Vss
Vss
NC
NC
NC
NC
V
CC
Vcc
DQ 16
DQ 48
DQ 17
DQ 49
DQ 18
DQ 50
DQ 19
DQ 51
Vss
Vss
DQ 20
DQ 52
DQ 21
DQ 53
DQ 22
DQ 54
DQ 23
DQ 55
Vcc
Vcc
A6
A7
A8
BA0 (A13)
Vss
Vss
A9
BA1 (A12)
A10
A11
Vcc
Vcc
DQMB2
DQMB6
DQMB3
DQMB7
Vss
Vss
DQ 24
DQ 56
DQ 25
DQ 57
DQ 26
DQ 58
DQ 27
DQ 59
V
CC
Vcc
DQ 28
DQ 60
DQ 61
DQ 29
DQ 62
DQ 30
DQ 63
DQ 31
Vss
Vss
SCL
SDA
V
CC
Vcc
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
A0 - A11
: Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A8]
BA0(A13),BA1(A12) : SDRAM Bank Select
DQ0 - DQ63
CLK0, CLK1
CKE0
/CS0
/RAS
/CAS
/WE
SDA
SCL
V
CC
V
SS
NC
: Data Inputs/Outputs
: Clock Input
: Clock Enable Input
: Chip Select Input
: Row Address Strobe
: Column Address Strobe
: Write Enable
: Serial Data I/O for PD
: Clock Input for PD
: Power Supply
: Ground
: No Connection
DQMB0 - DQMB7 : DQ Mask Enable
Data Sheet M14015EJ4V0DS00
3
MC-458CB641ES, 458CB641PS
Block Diagram
/WE
/CS0
DQMB0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB1
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
D0
/CS
/WE
DQMB4
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQMB5
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
/CS
/WE
D2
DQMB2
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQMB3
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
/CS
/WE
DQMB6
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
/CS
/WE
D1
DQ 55
DQMB7
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
D3
SERIAL PD
SCL
A0
A1
A2
CLK0
SDA
V
CC
C
V
SS
D0 - D3
D0 - D3
10
Ω
CLK : D0 - D3
CLK1
10 pF
/RAS : D0 - D3
/CAS : D0 - D3
CKE : D0 - D3
/RAS
A0 - A11
BA0
BA1
A0 - A11 : D0 - D3
A13 : D0 - D3
A12 : D0 - D3
/CAS
CKE0
Remarks 1.
D0 - D3:
µ
PD45128163 (2M words x 16 bits x 4 banks)
2.
The value of all resistors is 10
Ω.
4
Data Sheet M14015EJ4V0DS00
MC-458CB641ES, 458CB641PS
Electrical Specifications
•
All voltages are referenced to V
SS
(GND).
•
After power up, wait more than 100
µ
s and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper
device operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on power supply pin relative to GND
Voltage on input pin relative to GND
Short circuit output current
Power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Symbol
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
stg
Condition
Rating
–0.5 to +4.6
–0.5 to +4.6
50
4
0 to +70
–55 to +125
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
Caution
Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
Parameter
Supply voltage
High level input voltage
Low level input voltage
Operating ambient temperature
Symbol
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
Condition
MIN.
3.0
2.0
–0.3
0
TYP.
3.3
MAX.
3.6
V
CC
+ 0.3
+ 0.8
70
Unit
V
V
V
°C
Capacitance (T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Parameter
Input capacitance
Symbol
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
Data input/output capacitance
C
I/O
Test condition
A0 - A11, BA0(A13), BA1(A12),
/RAS, /CAS, /WE
CLK0
CKE0
/CS0
DQMB0 - DQMB7
DQ0 - DQ63
MIN.
15
23
15
15
5
5
TYP.
MAX.
30
37
26
26
10
12
pF
Unit
pF
Data Sheet M14015EJ4V0DS00
5
国产芯片交流
