DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-458CB646
8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE
UNBUFFERED TYPE
5
Description
The MC-458CB646EFB and MC-458CB646PFB are 8,388,608 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module
on which 4 pieces of 128M SDRAM:
µ
PD45128163 are assembled.
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
•
8,388,608 words by 64 bits organization
•
Clock frequency and access time from CLK
Part number
/CAS latency
Clock frequency
(MAX.)
MC-458CB646EFB-A80
CL = 3
CL = 2
MC-458CB646EFB-A10
CL = 3
CL = 2
125 MHz
100 MHz
100 MHz
77 MHz
125 MHz
100 MHz
100 MHz
77 MHz
Access time from CLK
(MAX.)
6 ns
6 ns
6 ns
7 ns
6 ns
6 ns
6 ns
7 ns
5
MC-458CB646PFB-A80
CL = 3
CL = 2
5
MC-458CB646PFB-A10
CL = 3
CL = 2
•
Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
•
Pulsed interface
•
Possible to assert random column address in every cycle
•
Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)
•
Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)
•
Programmable wrap sequence (sequential / interleave)
•
Programmable /CAS latency (2, 3)
•
Automatic precharge and controlled precharge
•
CBR (Auto) refresh and self refresh
•
All DQs have 10
Ω ±
10 % of series resistor
•
Single 3.3 V
±
0.3 V power supply
•
LVTTL compatible
•
4,096 refresh cycles/64 ms
•
Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
•
168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)
•
Unbuffered type
•
Serial PD
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. M13049EJ7V0DS00 (7th edition)
Date Published January 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
•
shows major revised points.
©
1997
MC-458CB646
Ordering Information
Part number
Clock frequency
(MAX.)
MC-458CB646EFB-A80
125 MHz
168-pin Dual In-line Memory Module
(Socket Type)
MC-458CB646EFB-A10
100 MHz
Edge connector : Gold plated
25.4 mm height
4 pieces of
µ
PD45128163G5 (Rev. P)
(10.16 mm (400) TSOP (II))
4 pieces of
µ
PD45128163G5 (Rev. E)
(10.16 mm (400) TSOP (II))
Package
Mounted devices
5
5
MC-458CB646PFB-A80
125 MHz
MC-458CB646PFB-A10
100 MHz
2
Data Sheet M13049EJ7V0DS00
MC-458CB646
Pin Configuration
168-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
Vcc
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
Vcc
DQ46
DQ47
NC
NC
V
SS
NC
NC
Vcc
/CAS
DQMB4
DQMB5
NC
/RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0 (A13)
A11
Vcc
CLK1
NC
V
SS
CKE0
NC
DQMB6
DQMB7
NC
Vcc
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
Vcc
DQ52
NC
NC
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
Vcc
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
Vcc
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
Vcc
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
Vcc
DQ14
DQ15
NC
NC
V
SS
NC
NC
Vcc
/WE
DQMB0
DQMB1
/CS0
NC
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1 (A12)
Vcc
Vcc
CLK0
V
SS
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
Vcc
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
Vcc
DQ20
NC
NC
NC
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
Vcc
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
Vcc
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
/××× indicates active low signal.
A0 - A11
: Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A8]
BA0 (A13), BA1 (A12) : SDRAM Bank Select
DQ0 - DQ63
CLK0 - CLK3
CKE0
/CS0, /CS2
/RAS
/CAS
/WE
DQMB0 - DQMB7
SA0 - SA2
SDA
SCL
V
CC
V
SS
WP
NC
: Data Inputs/Outputs
: Clock Input
: Clock Enable Input
: Chip Select Input
: Row Address Strobe
: Column Address Strobe
: Write Enable
: DQ Mask Enable
: Address Input for EEPROM
: Serial Data I/O for PD
: Clock Input for PD
: Power Supply
: Ground
: Write Protect
: No Connection
Data Sheet M13049EJ7V0DS00
3
MC-458CB646
5
Block Diagram
/WE
/CS0
DQMB 4
LDQM
/CS /WE
/CS2
DQMB 6
LDQM
/CS /WE
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 38
DQ 37
DQ 39
DQMB 0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
UDQM
D1
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQMB 2
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D4
UDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQMB 5
LDQM
/CS /WE
DQMB 7
LDQM
/CS /WE
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQMB 1
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D2
UDQM
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQMB 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D5
UDQM
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ31
DQ30
DQ29
DQ28
DQ27
DQ26
DQ25
DQ24
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
CLK0
CLK : D1, D2
10 pF+3.3 pF
A0 - A11
BA0
A0 - A11 : D1, D2, D4, D5
A13 : D1, D2, D4, D5
A12 : D1, D2, D4, D5
/RAS : D1, D2, D4, D5
/CAS : D1, D2, D4, D5
CKE : D1, D2, D4, D5
CLK2
CLK : D4, D5
BA1
/RAS
/CAS
15 pF
CLK1, CLK3
10 pF
CKE0
SERIAL PD
SDA
V
CC
C
V
SS
D1, D2, D4, D5
SA0 SA1 SA2
D1, D2, D4, D5
SCL
A0
A1
A2
WP
47 kΩ
Remarks 1.
The value of all resistors is 10
Ω
except WP.
2.
D1, D2, D4, D5 :
µ
PD45128163 (2M words × 16 bits × 4 banks)
4
Data Sheet M13049EJ7V0DS00
MC-458CB646
Electrical Specifications
•
All voltages are referenced to V
SS
(GND).
•
After power up, wait more than 100
µ
s and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper
device operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on power supply pin relative to GND
Voltage on input pin relative to GND
Short circuit output current
Symbol
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
stg
Condition
Rating
–0.5 to +4.6
–0.5 to +4.6
50
4
0 to 70
–55 to +125
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
5
Power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
Parameter
Supply voltage
High level input voltage
Low level input voltage
Operating ambient temperature
Symbol
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
Condition
MIN.
3.0
2.0
−0.3
0
TYP.
3.3
MAX.
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.8
70
Unit
V
V
V
°C
5
Capacitance (T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Parameter
Input capacitance
Symbol
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
Data input/output capacitance
C
I/O
Test condition
A0 - A11, BA0(A13), BA1(A12), /RAS, /CAS, /WE
CLK0, CLK2
CKE0
/CS0, /CS2
DQMB0 - DQMB7
DQ0 - DQ63
MIN.
22
24
22
12
7
7
TYP.
MAX.
40
40
40
20
13
13
pF
Unit
pF
Data Sheet M13049EJ7V0DS00
5
