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MC146823L

High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE)

器件类别:嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   

厂商名称:Motorola ( NXP )

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Motorola ( NXP )
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP40,.6
针数
40
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
其他特性
OPERATES AT 3V MIN SUPPLY
最大时钟频率
1 MHz
外部数据总线宽度
8
JESD-30 代码
R-CDIP-T40
JESD-609代码
e0
长度
50.8 mm
I/O 线路数量
24
端口数量
3
端子数量
40
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP40,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.32 mm
最大压摆率
3 mA
最大供电电压
5.5 V
最小供电电压
4.5 V
标称供电电压
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
15.24 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型
PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE
参数对比
与MC146823L相近的元器件有:MC146823、MC146823P、MC146823S、MC146823Z。描述及对比如下:
型号 MC146823L MC146823 MC146823P MC146823S MC146823Z
描述 High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE) High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE) High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE) High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE) High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE)
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Motorola ( NXP ) - Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
零件包装代码 DIP - - DIP QFN
包装说明 DIP, DIP40,.6 - DIP, DIP, DIP40,.6 QCCN, LCC40,.5SQ,40
针数 40 - - 40 40
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 OPERATES AT 3V MIN SUPPLY - OPERATES AT 3V MIN SUPPLY OPERATES AT 3V MIN SUPPLY OPERATES AT 3V MIN SUPPLY
最大时钟频率 1 MHz - 1 MHz 1 MHz 1 MHz
外部数据总线宽度 8 - 8 8 8
JESD-30 代码 R-CDIP-T40 - R-PDIP-T40 R-CDIP-T40 S-CQCC-N40
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0
长度 50.8 mm - 52.07 mm 52.275 mm 12.19 mm
I/O 线路数量 24 - 24 24 24
端口数量 3 - 3 3 3
端子数量 40 - 40 40 40
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP - DIP DIP QCCN
封装等效代码 DIP40,.6 - - DIP40,.6 LCC40,.5SQ,40
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 IN-LINE - IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.32 mm - 5.08 mm 5.84 mm 2.08 mm
最大压摆率 3 mA - 3 mA 3 mA 3 mA
最大供电电压 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 5 V - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO - NO NO YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm 1.02 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm - 15.24 mm 15.24 mm 12.19 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE - PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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