高功率密度、高效率和更宽的频率支持使基于 GaN 的解决方案成为适合许多射频应用的优良选择。嵌入式系统设计人员都知道,每一种材料都必须权衡利弊。在探讨最佳设计实践之前,有必要澄清关于 GaN 的一些常见误解。 我们知道,6GHz 以下 5G 基站的功率需求正在推动 LDMOS 放大器向基于 GaN 的解决方案转变。高功率密度、高效率和更宽的频率支持使基于 GaN 的解决方案成为适合许...[详细]
使用的芯片是 STM32F103VET,编译器使用 IAR ARM V5.5 设置头文件查找路径,例如: $PROJ_DIR$.. $PROJ_DIR$......LibrariesCMSISCM3CoreSupport $PROJ_DIR$......LibrariesCMSISCM3DeviceSupportSTSTM32F10x $PROJ_DIR$......LibrariesSTM...[详细]