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MCR218-4FP

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),8A I(T),TO-220

器件类别:模拟混合信号IC    触发装置   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
NXP(恩智浦)
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknow
标称电路换相断开时间
15 µs
最大直流栅极触发电流
25 mA
最大直流栅极触发电压
1.5 V
最大维持电流
30 mA
JESD-609代码
e0
最大漏电流
2 mA
通态非重复峰值电流
80 A
最大通态电压
1.8 V
最大通态电流
8000 A
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
断态重复峰值电压
200 V
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型
SCR
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参数对比
与MCR218-4FP相近的元器件有:。描述及对比如下:
型号 MCR218-4FP
描述 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),8A I(T),TO-220
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code unknow
标称电路换相断开时间 15 µs
最大直流栅极触发电流 25 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V
最大维持电流 30 mA
JESD-609代码 e0
最大漏电流 2 mA
通态非重复峰值电流 80 A
最大通态电压 1.8 V
最大通态电流 8000 A
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -40 °C
断态重复峰值电压 200 V
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型 SCR
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