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MH2M04BJA-10

Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Mitsubishi(日本三菱)

厂商官网:http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码
SIMM
包装说明
, SIP30,.2
针数
30
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
100 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XSMA-T30
JESD-609代码
e0
内存密度
8388608 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
30
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装等效代码
SIP30,.2
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
座面最大高度
21.082 mm
最大待机电流
0.004 A
最大压摆率
0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与MH2M04BJA-10相近的元器件有:MH2M04BJ-7、MH2M04BJA-8、MH2M04BJA-7、MH2M04BJ-10、MH2M04BJ-8。描述及对比如下:
型号 MH2M04BJA-10 MH2M04BJ-7 MH2M04BJA-8 MH2M04BJA-7 MH2M04BJ-10 MH2M04BJ-8
描述 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 , SIP30,.2 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30
针数 30 30 30 30 30 30
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 100 ns 70 ns 80 ns 70 ns 100 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 30 30 30 30 30 30
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 SIP30,.2 SIM30 SIP30,.2 SIP30,.2 SIM30 SIM30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512 512
座面最大高度 21.082 mm 20.32 mm 21.082 mm 21.082 mm 20.32 mm 20.32 mm
最大待机电流 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.48 mA 0.64 mA 0.56 mA 0.64 mA 0.48 mA 0.56 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
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