型号
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| 型号 | MM2114N-3L | MM2114N-3 |
|---|---|---|
| 描述 | IC 1K X 4 STANDARD SRAM, 300 ns, PDIP18, DIP-18, Static RAM | 1KX4 STANDARD SRAM, 300ns, PDIP18, DIP-18 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, | DIP, |
| 针数 | 18 | 18 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 最长访问时间 | 300 ns | 300 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 | R-PDIP-T18 |
| 内存密度 | 4096 bit | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 18 | 18 |
| 字数 | 1024 words | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 | 1000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1KX4 | 1KX4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B | MIL-STD-883 Class B |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |