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MMBT2907AE

Transistor

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:长电科技(JCET)

厂商官网:http://www.cj-elec.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
长电科技(JCET)
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknown
文档预览
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors
MMBT2907AE
TRANSISTOR
C
WBFBP-03A
(1.6×1.6×0.5)
unit: mm
DESCRIPTION
PNP Epitaxial planar type Silicon Transistor
FEATURES
Complementary NPN Type available(MMBT2222AE)
PPLICATION
general purpose amplifier, switching.
For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,
DVD-ROM, Note book PC, etc.)
MARKING:2F
C
TOP
B
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
E
C
BACK
E
B
2F
B E
MAXIMUM RATINGS
T
A
=25℃ unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
V
CBO
Collector-Base Voltage
-60
V
CEO
-60
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
-5
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current -Continuous
-600
P
C
Collector Dissipation
150
T
J
Junction Temperature
150
T
stg
Storage Temperature
-55to+150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
DC current gain
h
FE(3)
h
FE(4)
h
FE(5)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Noise figure
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
Units
V
V
V
mA
mW
unless
Test
otherwise
specified)
MIN
-60
-60
-5
-0.01
-0.01
75
100
100
100
50
-1.6
-0.4
-2.6
-1.3
200
8
4
V
V
MHz
pF
dB
300
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
conditions
I
C
= -10
μ
A,I
E
=0
I
C
= -10mA, I
B
=0
I
E
=-10
μ
A,I
C
=0
V
CB
=-50 V,I
E
=0
V
EB
= -5V,I
C
=0
V
CE
=-10V,I
C
=-0.1mA
V
CE
=-10V,I
C
=-1mA
V
CE
=-10V,I
C
=-10mA
V
CE
=-10V,I
C
=-150mA
V
CE
=-10V,I
C
=-500mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
I
C
=-150mA,I
B
=-15mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
I
C
=-150mA,I
B
=-15mA
V
CE
=-20V, I
C
=-50mA
f=
100MHz
V
CB
=-10V, I
E
=
0
, f=
1M
Hz
V
CB
=-5V,I
c
=-0.1mA,
f=1KHz,Rs=1KΩ
μ
A
μ
A
f
T
C
ob
NF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃
Parameter
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
Symbol
unless
Test
otherwise
conditions
specified)
MIN
TYP
MAX
10
40
225
30
UNIT
nS
nS
nS
nS
t
d
t
r
t
S
t
f
V
CC
=-30V,
I
C
=-150mA , I
B1
=-15mA
V
CC
=-6V, I
C
=-150mA
I
B1
=-I
B2
=-15mA
Typical Characteristics
MMBT2907AE
Sym bol
A
A1
b
b1
D
E
D2
E2
e
L
L1
L2
L3
L4
k
z
D im e n s io n s In M illim e t e r s
M in .
M ax.
0 .4 5 0
0 .5 5 0
0 .0 1 0
0 .0 9 0
0 .2 3 0
0 .3 3 0
0 .3 2 0 R E F .
1 .5 5 0
1 .6 5 0
1 .5 5 0
1 .6 5 0
0 .7 5 0 R E F .
1 .0 0 0 R E F .
1 .0 0 0 T Y P .
0 .2 8 0 R E F .
0 .2 3 0 R E F .
0 .1 8 0 R E F .
0 .2 5 0 R E F .
0 .2 0 0 R E F .
0 .3 2 0 R E F .
0 .1 6 0 R E F .
D im e n s io n s In In c h e s
M in .
M ax.
0 .0 1 8
0 .0 2 2
0 .0 0 0
0 .0 0 4
0 .0 0 9
0 .0 1 3
0 .0 1 3 R E F .
0 .0 6 1
0 .0 6 5
0 .0 6 1
0 .0 6 5
0 .0 3 0 R E F .
0 .0 4 0 R E F .
0 .0 4 0 T Y P .
0 .0 1 1 R E F .
0 .0 0 9 R E F .
0 .0 0 7 R E F .
0 .0 1 0 R E F .
0 .0 0 8 R E F .
0 .0 1 3 R E F .
0 .0 0 6 R E F .
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