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MMBT3904FN3T/R7

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
DFN
包装说明
CHIP CARRIER, R-PBCC-N3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.2 A
集电极-发射极最大电压
40 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
JESD-30 代码
R-PBCC-N3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
250 ns
最大开启时间(吨)
70 ns
文档预览
MMBT3904FN3
NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
FEATURES
• Collector-emitter voltage VCE = 40V
• Collector current IC = 200mA
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.026(0.65)
0.022(0.55)
40 Volts
POWER
250 mWatts
DFN 3L
Unit
inch(mm)
0.042(1.05)
0.037(0.95)
• NPN epitaxial silicon, planar design
MECHANICAL DATA
Case: DFN 3L, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Marking: AC
0.022(0.55)
0.017(0.45)
0.002(0.05)MAX.
0.013(0.32)
0.009(0.22)
0.014(0.36)
0.013(0.32)
0.009(0.22)
0.008(0.20)
0.004(0.10)
0.022(0.55)
0.017(0.45)
2
3
1
0.014(0.36)
ABSOLUTE RATINGS
Parameter
Collector - E mitter Voltage
Collector - B ase Voltage
Emitter - B ase Voltage
Collector Current - C ontinuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
40
60
6.0
200
0.008(0.20)
0.004(0.10)
Units
V
V
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameter
Max Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance , Junction to Ambient
J unc ti o n Te m p e r a tur e
Op e r a ti ng Te m p e r a tur e
Symbol
P
TOT
R
JA
T
J
T
S TG
Value
250
500
-5 5 t o + 1 5 0
-5 5 t o + 1 5 0
Units
mW
O
C/W
O
C
C
O
Note 1: Transistor mounted on FR-4 board 70 x 60 x 1mm.
PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
REV.0.2-JUL.18.2009
PAGE . 1
MMBT3904FN3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
P a ra me te r
C o lle c t o r - E mi tt e r B r e a k d o wn V o lta g e
C o lle c to r - B a s e B re a k d o wn Vo lta g e
E mi tte r - B a s e B r e a k d o wn Vo lta g e
B a s e C ut o f f C ur r e nt
C o lle c to r C uto ff C urr e nt
S ymb o l
Te s t C o nd i ti o n
MIN.
40
60
6 .0
-
-
40
70
100
60
30
-
0 .6 5
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MA X .
-
-
-
50
50
-
-
300
-
-
0 .2
0 .3
0 .8 5
0 .9 5
4 .0
8 .0
35
35
200
50
Uni ts
V
V
V
nA
nA
V
(B R)
C E O IC = 1 .0 mA , IB = 0
V
(B R)
C B O IC = 1 0 uA , IE = 0
V
(B R)
E B O
I
B L
I
C E X
IE = 1 0 uA , IC =0
V C E = 3 0 V, V E B = 3 .0 V
V C E = 3 0 V, V E B = 3 .0 V
IC = 0 .1 mA , V C E = 1 .0 V
IC = 1 .0 mA , V C E = 1 .0 V
IC = 1 0 mA , V C E = 1 .0 V
IC = 5 0 mA , V C E = 1 .0 V
IC = 1 0 0 mA , V C E = 1 .0 V
IC = 1 0 mA , IB = 1 .0 mA
IC = 5 0 mA , IB = 5 .0 mA
IC = 1 0 mA , IB = 1 .0 mA
IC = 5 0 mA , IB = 5 .0 mA
V C B = 5 V, I E = 0 , f = 1 MHz
V E B = 0 .5 V, IC =0 ,
f= 1 MHz
V C C = 3 V,V B E = - 0 .5 V,
IC = 1 0 mA ,IB =1 .0 mA
V C C = 3 V,V B E = - 0 .5 V,
IC = 1 0 mA ,IB =1 .0 mA
V C C = 3 V,IC =1 0 mA
IB 1 =IB 2 =1 .0 mA
V C C = 3 V,IC =1 0 mA
< 2.0%.
=IB 2 =1 .0 mA
IB 1
D C C urr e nt G a i n ( No te 2 )
h
FE
-
C o lle c t o r - E mi tt e r S a tur a t i o n V o lta g e
( No te 2 )
B a s e - E mi tte r S a tur a ti o n Vo lta g e ( No te 2 )
C o lle c to r - B a s e C a p a c i ta nc e
E mi tte r - B a s e C a p a c i ta nc e
D e la y Ti me
Ri s e Ti me
S to ra g e Ti me
F a ll Ti me
V
C E (S AT)
V
B E (S AT)
C
CBO
C
EBO
td
tr
ts
tf
V
V
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Note 2: Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0%.
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
+3V
+ 1 0 .9 V
0
-0 .5 V
300ns
D u ty C y c le ~ 2 .0 %
275
< 1ns
10K
C
S
* < 4 p F
D e la y a n d R is e T im e E q u iv a le n t T e s t C ir c u it
+ 3V
27 5
+ 10 .9 V
0
1 0 to 5 0 0 u s
D u ty C yc le ~ 2 .0%
-9 .1 V
10K
< 1ns
1N916
C
S
* < 4 pF
C
S
* < 4 pF
S to ra g e a n d F a ll T im e E q u iv a le n t T e s t C irc u it
REV.0.2-JUL.18.2009
PAGE . 2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
300
250
200
hFE
150
T
J
= 25 ˚C
100
0.400
1.400
T
J
= 150 ˚C
V
CE
= 1V
1.200
1.000
T
J
= 100 ˚C
V
BE
(V)
0.800
T
J
= 25 ˚C
0.600
T
J
= 100 ˚C
50
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.200
0.000
0.01
0.1
T
J
= 150
V
CE
= 1V
1
10
100
1000
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, I
C
(mA)
Fig. 1. Typical h
FE
vs Collector Current
1.000
Fig. 2. Typical V
BE
vs Collector Current
1.0
T
J
= 25 ˚C
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 150 ˚C
T
J
= 100 ˚C
V
CE
(sat) (V)
0.100
T
J
= 25 ˚C
V
BE
(sat) (V)
T
J
= 150 ˚C
I
C
/I
B
= 10
0.010
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.01
0.1
1
Collector Current, I
C
(mA)
10
100
Collector Current, I
C
(mA)
Fig. 3. Typical V
CE
(sat) vs Collector Current
10
Fig. 4. Typical V
BE
(sat) vs Collector Current
T
J
= 25 ˚C
C
IB
(EB)
Capacitance (pF)
C
OB
(CB)
1
0.1
1
10
100
Reverse Voltage, V
R
(V)
Fig. 5. Typical Capacitances vs Reverse Voltage
REV.0.2-JUL.18.2009
PAGE . 3
MMBT3904FN3
MOUNTING PAD LAYOUT
DFN 3L
Unit
inch(mm)
0.043
(1.10)
0.017
(0.42)
0.010
(0.26)
0
.
027
(0.68)
ORDER INFORMATION
• Packing information
T/R - 8K per 7" plastic Reel
REV.0.2-JUL.18.2009
PAGE . 4
MMBT3904FN3
Part No_packing code_Version
MMBT3904FN3_R1_00001
For example :
RB500V-40_R2_00001
Part No.
Serial number
Version code means HF
Packing size code means 13"
Packing type means T/R
Packing Code
XX
Packing type
Tape and Ammunition Box
(T/B)
Tape and Reel
(T/R)
Bulk Packing
(B/P)
Tube Packing
(T/P)
Tape and Reel (Right Oriented)
(TRR)
Tape and Reel (Left Oriented)
(TRL)
FORMING
1
st
Code
A
R
B
T
S
L
F
Packing size code
N/A
7"
13"
26mm
52mm
PANASERT T/B CATHODE UP
(PBCU)
PANASERT T/B CATHODE DOWN
(PBCD)
Version Code
XXXXX
2
nd
Code
HF or RoHS
1
st
Code 2
nd
~5
th
Code
0
1
2
X
Y
U
D
HF
RoHS
0
1
serial number
serial number
REV.0.2-JUL.18.2009
PAGE . 5
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