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MR27V801D-XXRA

描述：
MASK ROM, 1MX8, 90ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32
分类：
存储    存储   
文件大小：
93KB，共8页
制造商：
LAPIS Semiconductor Co Ltd
概述
MASK ROM, 1MX8, 90ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP32,.6
针数
32
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
90 ns
JESD-30 代码
R-PDIP-T32
JESD-609代码
e0
长度
41.7 mm
内存密度
8388608 bi
内存集成电路类型
MASK ROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP32,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
电源
3/3.3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.15 mm
最大待机电流
0.00005 A
最大压摆率
0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
15.24 mm
文档预览
Dear customers,
About the change in the name such as "Oki Electric Industry Co. Ltd." and
"OKI" in documents to OKI Semiconductor Co., Ltd.
The semiconductor business of Oki Electric Industry Co., Ltd. was succeeded to OKI
Semiconductor Co., Ltd. on October 1, 2008.
Therefore, please accept that although
the terms and marks of "Oki Electric Industry Co., Ltd.", “Oki Electric”, and "OKI"
remain in the documents, they all have been changed to "OKI Semiconductor Co., Ltd.".
It is a change of the company name, the company trademark, and the logo, etc. , and
NOT a content change in documents.
October 1, 2008
OKI Semiconductor Co., Ltd.
550-1 Higashiasakawa-cho, Hachioji-shi, Tokyo 193-8550, Japan
http://www.okisemi.com/en/
¡
Semiconductor
MR27V801D
1,048,576-Word x 8-Bit
Production Programmed Read Only Memory (P2ROM)
1A
DESCRIPTION
The MR27V801D is a 8Mbit Production Programmed Read-Only Memory (P2ROM) organized as
1,048,576 word x 8bit. The MR27V801D operates on a single +3V-3.3V power supply and is TTL
compatible. Since the MR27V801D operates asynchronously , external clocks are not required ,
making this device easy-to-use. The MR27V801D is suitable as large-capacity fixed memory for
microcomputers and data terminals. It is manufactured using a CMOS double silicon gate
technology and is offered in 32-pin DIP, 32-pin SOP or 32-pin TSOP packages.
FEATURES
• 1,048,576 word x 8bit
• Single +3V-3.3V power supply
• Access time
90ns access time (Vcc=+3V)
70ns access time (Vcc=+3.3V)
• Input / Output TTL compatible
• Three-state output
• Packages
32-pin plastic DIP (DIP32-P-600-2.54)
(Product name : MR27V801D-xxRA)
32-pin plastic SOP (SOP32-P-525-1.27-K)
(Product name : MR27V801D-xxMA)
32-pin plastic TSOP (TSOP I 32-P-814-0.50-K) (Product name : MR27V801D-xxTA)
November 1999
1/7
MR27V801D
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)
A19 1
A16 2
A15 3
A12 4
A7 5
A6 6
A5 7
A4 8
A3 9
A2 10
A1 11
A0 12
D0 13
D1 14
D2 15
V
SS
16
32-pin DIP
32 V
CC
31 A18
30 A17
29 A14
28 A13
27 A8
26 A9
25 A11
24 OE
23 A10
22 CE
21 D7
20 D6
19 D5
18 D4
17 D3
A19 1
A16 2
A15 3
A12 4
A7 5
A6 6
A5 7
A4 8
A3 9
A2 10
A1 11
A0 12
D0 13
D1 14
D2 15
V
SS
16
32-pin SOP
32 V
CC
31 A18
30 A17
29 A14
28 A13
27 A8
26 A9
25 A11
24 OE
23 A10
22 CE
21 D7
20 D6
19 D5
18 D4
17 D3
A5
A7
A15
A19
A18
A14
A8
A11
1
V
CC
A6
A12
A13
A9
A4
A16
A17
16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2
32-pin TSOP
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
D3
D5
D7
A3
A1
D0
D2
A10
V
SS
D4
D6
A2
D1
OE
CE
A0
PIN NAMES
A0 - A19
D0 - D7
CE
OE
V
CC
V
SS
FUNCTIONS
Address input
Data output
Chip enable
Output enable
Power supply voltage
GND
2/7
MR27V801D
BLOCK DIAGRAM
CE
OE
CE
OE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
Row Decoder
Memory Matrix
Address Buffer
1,048,576X8-Bit
Column Decoder
Multiplexer
Output Buffer
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
FUNCTION TABLE
MODE
READ
OUTPUT DISABLE
STAND-BY
*: Don't Care
CE
L
L
H
OE
L
H
*
V
CC
3.0V to 3.3V
D0 - D7
D
OUT
Hi-Z
Hi-Z
3/7
MR27V801D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Operating temperature under bias
Storage temperature
Input voltage
Output voltage
Power supply voltage
Power dissipation per package
Symbol
T
opr
T
stg
V
I
V
O
V
CC
P
D
-
relative to V
SS
Condition
-
Value
0 to 70
-55 to 125
-0.5 to V
CC
+ 0.5
-0.5 to V
CC
+ 0.5
-0.5 to 5
1.0
Unit
°C
°C
V
V
V
W
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(Ta=0 to 70
°C)
Parameter
V
CC
power supply voltage
Input "H" level
Input "L" level
Voltage is relative to Vss
* : Vcc+1.5V (Max.) when pulse width of overshoot is less than 10nS.
** : -1.5V (Min.) when pulse width of undershoot is less than 10nS.
Symbol
V
CC
V
IH
V
IL
Condition
V
CC
=2.7V - 3.6V
Min.
2.7
2.2
-0.5**
Typ.
Max.
Unit
-
V
3.6
-
V
CC
+0.5* V
-
V
0.6
4/7
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参数对比
与MR27V801D-XXRA相近的元器件有：MR27V801D-XXMA、MR27V801D-XXTA。描述及对比如下：
型号 MR27V801D-XXRA MR27V801D-XXMA MR27V801D-XXTA
描述 MASK ROM, 1MX8, 90ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32 MASK ROM, 1MX8, 90ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32 MASK ROM, 1MX8, 90ns, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码 DIP SOIC TSOP1
包装说明 DIP, DIP32,.6 SOP, SOP32,.56 TSSOP, TSSOP32,.8,20
针数 32 32 32
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 90 ns 90 ns 90 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 41.7 mm 21 mm 12.4 mm
内存密度 8388608 bi 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 32 32 32
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP TSSOP
封装等效代码 DIP32,.6 SOP32,.56 TSSOP32,.8,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.15 mm 3 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
表面贴装 NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 11 mm 8 mm
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
索引文件:
1656  2056  197  1001  2028  34  42  4  21  41 
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