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MS82V16520-7GA

描述:
Synchronous DRAM, 512KX32, 6ns, CMOS, PQFP100
分类:
存储    存储   
文件大小:
3MB,共66页
制造商:
概述
Synchronous DRAM, 512KX32, 6ns, CMOS, PQFP100
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
QFP, QFP100,.7X.9
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
6 ns
最大时钟频率 (fCLK)
143 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
4,8
JESD-30 代码
R-PQFP-G100
JESD-609代码
e0
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
32
端子数量
100
字数
524288 words
字数代码
512000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
512KX32
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QFP
封装等效代码
QFP100,.7X.9
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
2048
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.002 A
最大压摆率
0.21 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.635 mm
端子位置
QUAD
文档预览
参数对比
与MS82V16520-7GA相近的元器件有:MS82V16520-6TB。描述及对比如下:
型号 MS82V16520-7GA MS82V16520-6TB
描述 Synchronous DRAM, 512KX32, 6ns, CMOS, PQFP100 Synchronous DRAM, 512KX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 QFP, QFP100,.7X.9 QFP, TQFP100,.7X.9,25
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 6 ns 5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK) 143 MHz 166 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32
端子数量 100 100
字数 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 512KX32 512KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QFP QFP
封装等效代码 QFP100,.7X.9 TQFP100,.7X.9,25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.21 mA 0.23 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.635 mm 0.635 mm
端子位置 QUAD QUAD
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索引文件:
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