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MSC23109D-60DS3

描述:
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, PSMA30
分类:
存储    存储   
文件大小:
350KB,共9页
制造商:
概述
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, PSMA30
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
SIMM, SIM30
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
60 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PSMA-N30
内存密度
9437184 bi
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度
9
端子数量
30
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX9
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SIMM
封装等效代码
SIM30
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
座面最大高度
16.51 mm
最大待机电流
0.003 A
最大压摆率
0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
2.54 mm
端子位置
SINGLE
文档预览
参数对比
与MSC23109D-60DS3相近的元器件有:MSC23109D-60BS3。描述及对比如下:
型号 MSC23109D-60DS3 MSC23109D-60BS3
描述 Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, PSMA30 Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, PSMA30
包装说明 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30
Reach Compliance Code unknow unknown
最长访问时间 60 ns 60 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PSMA-N30 R-PSMA-N30
内存密度 9437184 bi 9437184 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 9 9
端子数量 30 30
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX9 1MX9
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SIMM SIMM
封装等效代码 SIM30 SIM30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024
座面最大高度 16.51 mm 16.51 mm
最大待机电流 0.003 A 0.003 A
最大压摆率 0.25 mA 0.25 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE
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