型号
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| 型号 | MSC2312B-80KS9 | MSC2312B-10KS9 |
|---|---|---|
| 描述 | Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, | Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | LAPIS Semiconductor Co Ltd | LAPIS Semiconductor Co Ltd |
| 包装说明 | , SIP30,.2 | , SIP30,.2 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 80 ns | 100 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 9437184 bit | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM MODULE | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 9 | 9 |
| 端子数量 | 30 | 30 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1MX9 | 1MX9 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | SIP30,.2 | SIP30,.2 |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 512 | 512 |
| 座面最大高度 | 23.241 mm | 23.241 mm |
| 最大待机电流 | 0.009 A | 0.009 A |
| 最大压摆率 | 0.63 mA | 0.54 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
