This version:
Mar. 8. 1999
Semiconductor
MSC2343657D-xxBS10/DS10
4,194,304-word x 36-bit DYNAMIC RAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
DESCRIPTION
The MSC2343657D-xxBS10/DS10 is a fully decoded, 4,194,304-word x 36-bit CMOS dynamic random access
memory module composed of eight 16Mb DRAMs (4Mx4) in SOJ packages and two 8Mb DRAMs (4Mx2) in SOJ
packages mounted with ten decoupling capacitors on a 72-pin glass epoxy single in-line package. This module
supports any application where high density and large capacity of storage memory are required.
FEATURES
· 4,194,304-word x 36-bit organization
· 72-pin Single In-Line Memory Module
MSC2343657D-xxBS10 : Gold tab
MSC2343657D-xxDS10 : Solder tab
· Single +5V supply ± 10% tolerance
· Input
: TTL compatible
· Output
: TTL compatible, 3-state
· Refresh : 2048cycles/32ms
· /CAS before /RAS refresh, hidden refresh, /RAS only refresh capability
· Fast page mode with EDO capability
· Multi-bit test mode capability
PRODUCT FAMILY
Access Time (Max.)
Family
t
RAC
MSC2343657D-60BS10/DS10
MSC2343657D-70BS10/DS10
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
Cycle
Time
(Min.)
110ns
130ns
Power Dissipation
Operating (Max.)
Standby (Max.)
5720mW
55mW
5225mW
Semiconductor
MSC2343657D
MODULE OUTLINE
MSC2343657D-xxBS10/DS10
107.95±0.2
*1
101.19Typ.
(Unit : mm)
5.28Max.
3.38Typ.
φ3.18
25.4±0.2
Typ. Typ.
10.16 6.35
2.03Typ.
6.35Typ.
1
1.27±0.1
R1.57
6.35
95.25
1.04Typ.
72
3.17Min.
+0.1
1.27 -0.08
*1 The common size difference of the board width 12.5mm of its height is specified as ±0.2.
The value above 12.5mm is specified as ±0.5.
Semiconductor
MSC2343657D
PIN CONFIGURATION
Pin No.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
Pin Name
V
SS
DQ0
DQ18
DQ1
DQ19
DQ2
DQ20
DQ3
DQ21
V
CC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Pin No.
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
Pin Name
A10
DQ4
DQ22
DQ5
DQ23
DQ6
DQ24
DQ7
DQ25
A7
NC
V
CC
A8
A9
NC
/RAS2
DQ26
DQ8
Pin No.
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
Pin Name
DQ17
DQ35
V
SS
/CAS0
/CAS2
/CAS3
/CAS1
/RAS0
NC
NC
/WE
NC
DQ9
DQ27
DQ10
DQ28
DQ11
DQ29
Pin No.
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
Pin Name
DQ12
DQ30
DQ13
DQ31
V
CC
DQ32
DQ14
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
V
SS
Presence Detect Pins
MSC2343657D
-60BS10/DS10
V
SS
NC
NC
NC
MSC2343657D
-70BS10/DS10
V
SS
NC
V
SS
NC
Pin No.
67
68
69
70
Pin Name
PD1
PD2
PD3
PD4
Semiconductor
MSC2343657D
BLOCK DIAGRAM
A0-A10
/RAS0
/CAS0
/WE
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
/RAS2
/CAS2
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
A0-A10 DQ1
/RAS
DQ2
/CAS1
/CAS2
/WE
/OE
V
CC
V
SS
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ8
DQ17
A0-A10 DQ1
/RAS
DQ2
/CAS1
/CAS2
/WE
/OE
V
CC
V
SS
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ26
DQ35
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
/CAS1
V
CC
V
SS
C1-C10
/CAS3
Semiconductor
MSC2343657D
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on Any Pin Relative to V
SS
Voltage on V
CC
Supply Relative to V
SS
Short Circuit Output Current
Power Dissipation
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
STG
* Ta = 25°C
Rating
-0.5 to +7.0
-0.5 to +7.0
50
10
0 to +70
-40 to +125
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
Recommended Operating Conditions
( Ta = 0°C to +70°C )
Parameter
Power Supply Voltage
V
SS
Input High Voltage
Input Low Voltage
V
IH
V
IL
0
2.4
-0.5
0
-
-
0
V
CC
+ 0.5
0.8
V
V
V
Symbol
V
CC
Min.
4.5
Typ.
5.0
Max.
5.5
Unit
V
Capacitance
( V
CC
= 5V ± 10%, Ta = 25°C, f = 1 MHz )
Parameter
Input Capacitance (A0 - A10)
Input Capacitance (/WE)
Input Capacitance (/RAS0, /RAS2)
Input Capacitance (/CAS0- /CAS3)
I/O Capacitance (DQ0 - DQ35)
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
70
80
43
28
16
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
模拟电子