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MSC23CV432D-70BS8

描述:
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, PDMA72
分类:
存储    存储   
文件大小:
73KB,共9页
制造商:
概述
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, PDMA72
器件参数
参数名称
属性值
包装说明
DIMM, DIMM72
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
70 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDMA-N72
内存密度
134217728 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度
32
端子数量
72
字数
4194304 words
字数代码
4000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX32
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM72
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
2048
座面最大高度
25.4 mm
自我刷新
NO
最大待机电流
0.004 A
最大压摆率
0.64 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
文档预览
This version: Mar. 1999
Semiconductor
MSC23CV432D-xxBS8
4,194,304-word x 32-bit DYNAMIC RAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE
DESCRIPTION
The MSC23CV432D-xxBS8 is a fully decoded, 4,194,304-word x 32-bit CMOS dynamic random access memory
module composed of eight 16Mb DRAMs (4Mx4) in TSOP packages mounted with eight decoupling capacitors on a
72-pin glass epoxy small outline package. This module supports any application where high density and large
capacity of storage memory are required.
FEATURES
· 4,194,304-word x 32-bit organization
· 72-pin Small Outline Dual In-line Memory module
MSC23CV432D-xxBS8 : Gold tab
· Single +3.3V supply ± 0.3V tolerance
· Input
: LVTTL compatible
· Output
: LVTTL compatible, 3-state
· Refresh : 2048cycles/32ms
· /CAS before /RAS refresh, hidden refresh, /RAS only refresh capability
· Fast page mode capability
· Multi-bit test mode capability
· 11/11 Addressing (Row/Column)
PRODUCT FAMILY
Access Time (Max.)
Family
t
RAC
MSC23CV432D-60BS8
MSC23CV432D-70BS8
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
Cycle
Time
(Min.)
110ns
130ns
Power Dissipation
Operating (Max.)
Standby (Max.)
2592mW
14.4mW
2304mW
Semiconductor
MSC23CV432D
MODULE OUTLINE
MSC23CV432D-xxBS8
(Unit : mm)
3.80Max.
25.4±0.13
3.18±0.13
2.0±0.13
1
2.62Typ.
*1
71
5.5Min.
44.45±0.1
59.69±0.2
1.00±0.1
*1 The common size difference of the board width 19.78mm of its height is specified as ±0.2.
The value above 19.78mm is specified as ±0.5.
R2.0
1.0±0.1
17.78±0.13
0.25 Max.
1.8±0.1
2-φ1.8
3.03
72
2
3.25Typ.
44.45±0.1
51.66±0.1
5.00
R2.0
0.23 Min.
1.27±0.1
Semiconductor
MSC23CV432D
PIN CONFIGURATION
Front Side
Pin No.
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
Pin Name
V
SS
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
PD1
A1
A3
A5
A10
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
NC
A8
NC
DQ15
Pin No.
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
Pin Name
DQ16
V
SS
/CAS2
/CAS1
NC
/WE
DQ18
DQ20
DQ22
NC
DQ25
DQ27
V
CC
DQ30
NC
PD3
PD5
PD7
Pin No.
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
Back Side
Pin Name
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
V
CC
A0
A2
A4
A6
NC
DQ9
DQ11
DQ13
A7
V
CC
A9
/RAS2
NC
Pin No.
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
Pin Name
DQ17
/CAS0
/CAS3
/RAS0
NC
NC
DQ19
DQ21
DQ23
DQ24
DQ26
DQ28
DQ29
DQ31
PD2
PD4
PD6
V
SS
Presence Detect Pins
Pin No.
11
66
67
68
69
70
71
Pin Name
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
-60
NC
NC
V
SS
NC
NC
NC
NC
-70
NC
NC
V
SS
NC
V
SS
NC
NC
Semiconductor
MSC23CV432D
BLOCK DIAGRAM
A0-A10
/RAS0
/CAS0
/WE
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
/RAS2
/CAS2
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
/CAS1
V
CC
V
SS
C1-C8
/CAS3
Semiconductor
MSC23CV432D
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on Any Pin Relative to V
SS
Voltage on V
CC
Supply Relative to V
SS
Short Circuit Output Current
Power Dissipation
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
STG
* Ta = 25°C
Rating
-0.5 to +4.6
-0.5 to +4.6
50
8
0 to +70
-40 to +125
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
Recommended Operating Conditions
( Ta = 0°C to +70°C )
Parameter
Power Supply Voltage
V
SS
Input High Voltage
Input Low Voltage
V
IH
V
IL
0
2.0
-0.3
0
-
-
0
V
CC
+0.3
0.8
V
V
V
Symbol
V
CC
Min.
3.0
Typ.
3.3
Max.
3.6
Unit
V
Capacitance
( V
CC
= 3.3V ± 0.3V, Ta = 25°C, f = 1 MHz )
Parameter
Input Capacitance (A0 - A10)
Input Capacitance (/WE)
Input Capacitance (/RAS0, /RAS2)
Input Capacitance (/CAS0- /CAS3)
I/O Capacitance (DQ0 - DQ31)
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
57
65
35
20
16
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
参数对比
与MSC23CV432D-70BS8相近的元器件有:MSC23CV432D-60BS8。描述及对比如下:
型号 MSC23CV432D-70BS8 MSC23CV432D-60BS8
描述 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, PDMA72 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, PDMA72
包装说明 DIMM, DIMM72 DIMM, DIMM72
Reach Compliance Code unknown unknow
最长访问时间 70 ns 60 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDMA-N72 R-PDMA-N72
内存密度 134217728 bit 134217728 bi
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 32 32
端子数量 72 72
字数 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 4MX32 4MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM72 DIMM72
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm
自我刷新 NO NO
最大待机电流 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.64 mA 0.72 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
trf7960高度集成13.56MHZ rfid读取器
特点:集成标准ISO14443A/B ISO15693.TIAG-IT以及HF-EPC 集成负载波结...
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索引文件:
76  1772  1256  2277  1017  2  36  26  46  21 
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