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MSCD100-16

100 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

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MSCD100-16 在线购买

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器件:MSCD100-16

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Microsemi
包装说明
CASE D1, 3 PIN
针数
3
制造商包装代码
CASE D1
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
其他特性
UL RECOGNIZED
应用
GENERAL PURPOSE
外壳连接
ISOLATED
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
R-XUFM-X3
JESD-609代码
e0
最大非重复峰值正向电流
2500 A
元件数量
2
相数
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-40 °C
最大输出电流
100 A
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
1600 V
表面贴装
NO
端子面层
TIN LEAD
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
MSKD100 ; MSAD100 ; MSCD100
Glass Passivated Rectifier
Diode Modules
V
RRM
800 to 1800V
I
FAV
100 Amp
Applications
Non-controllable rectifiers for AC/AC
converters
Line rectifiers for transistorized AC motor
controllers
Field supply for DC motors
Circuit
MSKD
MSAD
MSCD
1
1
1
2
2
2
3
3
3
Features
Blocking voltage:
800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide ceramic
isolated metal baseplate
Glass passivated chip
Module Type
TYPE
MSKD100-08
MSKD100-12
MSKD100-16
MSKD100-18
MSAD100-08
MSAD100-12
MSAD100-16
MSAD100-18
MSCD100-08
MSCD100-12
MSCD100-16
MSCD100-18
V
RRM
800V
1200V
1600V
1800V
V
RSM
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
I
FAV
Tc=100℃
I
FSM
t=10mS Tvj =45℃
2
it
t=10mS Tvj =45℃
a.c.50Hz;r.m.s.;1min
V
isol
T
vj
T
stg
Mt
Ms
Weight
To terminals(M5)
To heatsink(M5)
Module
Values
100
2500
31250
3000
-40 to 150
-40 to 125
2.5-4
2.5-4
110
Units
A
A
A
2
s
V
Nm
Nm
g
Thermal Characteristics
Symbol
Conditions
Rth(j-c)
Rth(c-s)
Per diode
Module
Values
0.35
0.1
Units
℃/W
℃/W
Electrical Characteristics
Symbol
Conditions
VFM
IRD
T=25℃ IFM =300A
Tvj=TvjM VRD=VRRM
Values
1.35
≤ 5
Units
V
mA
MSKD100_MSAD100_MSCD100 - Rev 1
Dec, 2009
www.microsemi.com
1/4
MSKD100 ; MSAD100 ; MSCD100
Performance Curves
300
A
250
W
Three-Phase
Typ.
150
125
25
Single-Phase
125
IF
0
0
VF 0.5
1.0
1.5
2.0 V
P
vtot
0
0 I
D
50
100 A
Fig1. Forward Characteristics
0.5
℃/
W
Z
th(j-
C
)
3000
A
Fig2. Power dissipation
50Hz
0.25
1500
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100 S
0
1
10
cycles 100
Fig3. Transient thermal impedance
Fig4. Max Non-Repetitive Forward Surge
Current
200
A
160
120
Single-Phase
Three-Phase
80
40
I
D
0
0 Tc
50
100
150 °C
Fig5.Forward Current Derating Curve
MSKD100_MSAD100_MSCD100 - Rev 1
Dec, 2009
www.microsemi.com
2/4
MSKD100 ; MSAD100 ; MSCD100
Package Outline Information
CASE-D1
Dimensions in mm
MSKD100_MSAD100_MSCD100 - Rev 1
Dec, 2009
www.microsemi.com
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参数对比
与MSCD100-16相近的元器件有:MSAD100、MSAD100-16、MSCD100、MSKD100。描述及对比如下:
型号 MSCD100-16 MSAD100 MSAD100-16 MSCD100 MSKD100
描述 100 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 100 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 100 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 100 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 100 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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