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MSM41256-12JS

描述:
Nibble Mode DRAM, 256KX1, 120ns, MOS, PQCC18
分类:
存储    存储   
文件大小:
622KB,共13页
制造商:
概述
Nibble Mode DRAM, 256KX1, 120ns, MOS, PQCC18
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1167316306
包装说明
QCCJ, LDCC18,.33X.53
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
120 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PQCC-J18
JESD-609代码
e0
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
NIBBLE MODE DRAM
内存宽度
1
端子数量
18
字数
262144 words
字数代码
256000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QCCJ
封装等效代码
LDCC18,.33X.53
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
256
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
文档预览
参数对比
与MSM41256-12JS相近的元器件有:MSM41256-10RS、MSM41256-15RS。描述及对比如下:
型号 MSM41256-12JS MSM41256-10RS MSM41256-15RS
描述 Nibble Mode DRAM, 256KX1, 120ns, MOS, PQCC18 Nibble Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, PDIP16 Nibble Mode DRAM, 256KX1, 150ns, MOS, PDIP16
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Objectid 1167316306 1167316304 1167316310
包装说明 QCCJ, LDCC18,.33X.53 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 120 ns 100 ns 150 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PQCC-J18 R-PDIP-T16 R-PDIP-T16
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1
端子数量 18 16 16
字数 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX1 256KX1 256KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ DIP DIP
封装等效代码 LDCC18,.33X.53 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO
技术 MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL
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