型号
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| 型号 | MSM41464-10JS | MSM41464-12JS | MSM41464-15RS |
|---|---|---|---|
| 描述 | Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, MOS, PQCC18 | Page Mode DRAM, 64KX4, 120ns, MOS, PQCC18 | Page Mode DRAM, 64KX4, 150ns, MOS, PDIP18 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | LAPIS Semiconductor Co Ltd | LAPIS Semiconductor Co Ltd | LAPIS Semiconductor Co Ltd |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC18,.33X.53 | QCCJ, LDCC18,.33X.53 | DIP, DIP18,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 100 ns | 120 ns | 150 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J18 | R-PQCC-J18 | R-PDIP-T18 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 18 | 18 | 18 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64KX4 | 64KX4 | 64KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ | DIP |
| 封装等效代码 | LDCC18,.33X.53 | LDCC18,.33X.53 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 256 | 256 | 256 |
| 最大压摆率 | 0.07 mA | 0.065 mA | 0.06 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | NO |
| 技术 | MOS | MOS | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | DUAL |
