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MSM511000B-60RS

描述:
Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDIP18
分类:
存储    存储   
文件大小:
347KB,共8页
制造商:
概述
Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDIP18
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
60 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDIP-T18
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
1
端子数量
18
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP18,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
文档预览
参数对比
与MSM511000B-60RS相近的元器件有:MSM511000B-70JS、MSM511000BL-70JS、MSM511000BL-60ZS、MSM511000BL-60JS、MSM511000BL-80JS、MSM511000B-80JS、MSM511000B-80RS。描述及对比如下:
型号 MSM511000B-60RS MSM511000B-70JS MSM511000BL-70JS MSM511000BL-60ZS MSM511000BL-60JS MSM511000BL-80JS MSM511000B-80JS MSM511000B-80RS
描述 Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDIP18 Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20 Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20 Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PZIP20 Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20 Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20 Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20 Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP18,.3 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 ZIP, ZIP20,.1 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 60 ns 70 ns 70 ns 60 ns 60 ns 80 ns 80 ns 80 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T18 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PZIP-T20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 18 20 20 20 20 20 20 18
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOJ SOJ ZIP SOJ SOJ SOJ DIP
封装等效代码 DIP18,.3 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 ZIP20,.1 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512 512 512 512
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.09 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.09 mA 0.09 mA 0.07 mA 0.07 mA 0.07 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES NO YES YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE J BEND J BEND J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL ZIG-ZAG DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd - LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
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