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MSM518205-60TS-K

描述：
EDO DRAM, 4MX2, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
分类：
存储    存储   
文件大小：
711KB，共19页
制造商：
LAPIS Semiconductor Co Ltd
概述
EDO DRAM, 4MX2, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
器件参数
参数名称
属性值
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2,
针数
26
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
60 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码
R-PDSO-G24
长度
17.14 mm
内存密度
8388608 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
2
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
24
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX2
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
Base Number Matches
1
文档预览
Dear customers,
About the change in the name such as "Oki Electric Industry Co. Ltd." and
"OKI" in documents to OKI Semiconductor Co., Ltd.
The semiconductor business of Oki Electric Industry Co., Ltd. was succeeded to OKI
Semiconductor Co., Ltd. on October 1, 2008.
Therefore, please accept that although
the terms and marks of "Oki Electric Industry Co., Ltd.", “Oki Electric”, and "OKI"
remain in the documents, they all have been changed to "OKI Semiconductor Co., Ltd.".
It is a change of the company name, the company trademark, and the logo, etc. , and
NOT a content change in documents.
October 1, 2008
OKI Semiconductor Co., Ltd.
550-1 Higashiasakawa-cho, Hachioji-shi, Tokyo 193-8550, Japan
http://www.okisemi.com/en/
E2G0030-17-41
¡ Semiconductor
MSM518205
¡ Semiconductor
This version: Jan. 1998
MSM518205
Previous version: May 1997
4,194,304-Word
¥
2-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
DESCRIPTION
The MSM518205 is a 4,194,304-word
¥
2-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS
technology. The MSM518205 achieves high integration, high-speed operation, and low-power
consumption because Oki manufactures the device in a quadruple-layer polysilicon/double-layer
metal CMOS process. The MSM518205 is available in a 26/24-pin plastic SOJ or 26/24-pin plastic
TSOP.
FEATURES
• 4,194,304-word
¥
2-bit configuration
• Single 5 V power supply,
±10%
tolerance
• Input
: TTL compatible, low input capacitance
• Output : TTL compatible, 3-state
• Refresh : 4096 cycles/64 ms
• Fast page mode with EDO, read modify write capability
•
CAS
before
RAS
refresh, hidden refresh,
RAS-only
refresh capability
• Multi-bit test mode capability
• Package options:
26/24-pin 300 mil plastic SOJ (SOJ26/24-P-300-1.27) (Product : MSM518205-xxSJ)
26/24-pin 300 mil plastic TSOP (TSOPII26/24-P-300-1.27-K) (Product : MSM518205-xxTS-K)
xx indicates speed rank.
PRODUCT FAMILY
Family
MSM518205-60
MSM518205-70
MSM518205-80
Access Time (Max.)
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
60 ns 30 ns 15 ns 15 ns
70 ns 35 ns 20 ns 20 ns
80 ns 40 ns 20 ns 20 ns
Cycle Time
Power Dissipation
(Min.)
Operating (Max.) Standby (Max.)
110 ns
130 ns
150 ns
385 mW
358 mW
330 mW
5.5 mW
1/18
¡ Semiconductor
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)
V
CC
1

26 V
SS
25 NC
V
CC
1
DQ1 2
WE
4
DQ1 2
WE
4
DQ2 3
24
CAS1
23
CAS2
22
OE
21 A9
19 A8
DQ2 3
RAS
5
RAS
5
A11R 6
A10R 8
A0 9
A11R 6
A10R 8
18 A7
17 A6
16 A5
15 A4
14 V
SS
A0 9
A1 10
A2 11
A3 12
V
CC
13
A1 10
A2 11
A3 12
V
CC
13
26/24-Pin Plastic SOJ
Pin Name
A0 - A9,
A10R, A11R
RAS
CAS1, CAS2
DQ1, DQ2
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
Function
Address Input
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Data Input/Data Output
Output Enable
Write Enable
Power Supply (5 V)
Ground (0 V)
No Connection
MSM518205
26 V
SS
25 NC
24
CAS1
23
CAS2
22
OE
21 A9
19 A8
18 A7
17 A6
16 A5
15 A4
14 V
SS
26/24-Pin Plastic TSOP
(K Type)
Note :
The same power supply voltage must be provided to every V
CC
pin, and the same GND
voltage level must be provided to every V
SS
pin.
2/18
¡ Semiconductor
MSM518205
BLOCK DIAGRAM
Timing
Generator
Timing
Generator
RAS
CAS1
CAS2
10
Column
Address
Buffers
10
Column
Decoders
Write
Clock
Generator
WE
OE
2
A0 - A9
Internal
Address
Counter
Output
Buffers
2
2
Refresh
Control Clock
Sense
Amplifiers
2
I/O
Selector
2
2
DQ1, DQ2
Input
Buffers
2
10
A10R, A11R
V
CC
2
Row
Address
Buffers
12
Row
De-
coders
Word
Drivers
Memory
Cells
On Chip
V
BB
Generator
V
SS
FUNCTION TABLE
Input Pin
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
CAS1
*
H
L
H
L
L
H
L
L
CAS2
*
H
H
L
L
H
L
L
L
WE
*
*
H
H
H
L
L
L
H
OE
*
*
L
L
L
H
H
H
H
DQ1
High-Z
High-Z
D
OUT
High-Z
D
OUT
D
IN
Don't Care
D
IN
High-Z
DQ Pin
DQ2
High-Z
High-Z
High-Z
D
OUT
D
OUT
Don't Care
D
IN
D
IN
High-Z
Function Mode
Standby
Refresh
DQ1 Read
DQ2 Read
DQ1, DQ2 Read
DQ1 Write
DQ2 Write
DQ1, DQ2 Write
—
*: "H" or "L"
3/18
¡ Semiconductor
MSM518205
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on Any Pin Relative to V
SS
Short Circuit Output Current
Power Dissipation
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
T
I
OS
P
D
*
T
opr
T
stg
Rating
–1.0 to 7.0
50
1
0 to 70
–55 to 150
Unit
V
mA
W
°C
°C
*: Ta = 25°C
Recommended Operating Conditions
Parameter
Power Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
Symbol
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Min.
4.5
0
2.4
–1.0
Typ.
5.0
0
—
—
Max.
5.5
0
6.5
0.8
(Ta = 0°C to 70°C)
Unit
V
V
V
V
Capacitance
Parameter
Input Capacitance
(A0 - A9, A10R, A11R)
Input Capacitance
(RAS,
CAS1, CAS2, WE, OE)
Output Capacitance (DQ1, DQ2)
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
I/O
Typ.
—
—
—
(V
CC
= 5 V ±10%, Ta = 25°C, f = 1 MHz)
Max.
6
7
10
Unit
pF
pF
pF
4/18
查看更多>
参数对比
与MSM518205-60TS-K相近的元器件有：MSM518205-60SJ、MSM518205-80TS-K、MSM518205-70TS-K、MSM518205-70SJ、MSM518205-80SJ。描述及对比如下：
型号 MSM518205-60TS-K MSM518205-60SJ MSM518205-80TS-K MSM518205-70TS-K MSM518205-70SJ MSM518205-80SJ
描述 EDO DRAM, 4MX2, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 EDO DRAM, 4MX2, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24 EDO DRAM, 4MX2, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 EDO DRAM, 4MX2, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 EDO DRAM, 4MX2, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24 EDO DRAM, 4MX2, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24
零件包装代码 TSOP2 SOJ TSOP2 TSOP2 SOJ SOJ
包装说明 TSOP2, SOJ, TSOP2, TSOP2, SOJ, SOJ,
针数 26 24 26 26 24 24
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 60 ns 80 ns 70 ns 70 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G24 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24
长度 17.14 mm 17.15 mm 17.14 mm 17.14 mm 17.15 mm 17.15 mm
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 2 2 2 2 2 2
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX2 4MX2 4MX2 4MX2 4MX2 4MX2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 SOJ TSOP2 TSOP2 SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 3.55 mm 1.2 mm 1.2 mm 3.55 mm 3.55 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING J BEND GULL WING GULL WING J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
厂商名称 - - LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
索引文件:
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