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MSM5188-55US

Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, PDIP22

器件类别:存储    存储   

厂商名称:LAPIS Semiconductor Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
DIP, DIP22,.3
Reach Compliance Code
unknown
Is Samacsys
N
最长访问时间
55 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDIP-T22
JESD-609代码
e0
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
4
端子数量
22
字数
16384 words
字数代码
16000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16KX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP22,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.002 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
参数对比
与MSM5188-55US相近的元器件有:MSM5188-70US、MSM5188-45RS、MSM5188-45US、MSM5188-70RS、MSM5188-55RS。描述及对比如下:
型号 MSM5188-55US MSM5188-70US MSM5188-45RS MSM5188-45US MSM5188-70RS MSM5188-55RS
描述 Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, PDIP22 Standard SRAM, 16KX4, 70ns, CMOS, PDIP22 Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDIP22, DIP-22 Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDIP22 Standard SRAM, 16KX4, 70ns, CMOS, PDIP22, DIP-22 Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, PDIP22, DIP-22
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP22,.3 DIP, DIP22,.3 DIP, DIP22,.3 DIP, DIP22,.3 DIP, DIP22,.3 DIP, DIP22,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
Is Samacsys N N N N N N
最长访问时间 55 ns 70 ns 45 ns 45 ns 70 ns 55 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T22 R-PDIP-T22 R-PDIP-T22 R-PDIP-T22 R-PDIP-T22 R-PDIP-T22
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
端子数量 22 22 22 22 22 22
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP22,.3 DIP22,.3 DIP22,.3 DIP22,.3 DIP22,.3 DIP22,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.11 mA 0.11 mA 0.11 mA 0.11 mA 0.11 mA 0.11 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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