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MSM51V17405DSL-50TS-K

描述:
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24
分类:
存储    存储   
文件大小:
745KB,共17页
制造商:
概述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
TSOP, TSOP24/26,.36
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
50 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G24
JESD-609代码
e0
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
4
端子数量
24
字数
4194304 words
字数代码
4000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP
封装等效代码
TSOP24/26,.36
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
2048
自我刷新
YES
最大待机电流
0.0002 A
最大压摆率
0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
文档预览
参数对比
与MSM51V17405DSL-50TS-K相近的元器件有:MSM51V17405DSL-70TS-K、MSM51V17405D-70SJ、MSM51V17405D-50TS-K、MSM51V17405D-60TS-K、MSM51V17405DSL-60SJ、MSM51V17405D-70TS-K。描述及对比如下:
型号 MSM51V17405DSL-50TS-K MSM51V17405DSL-70TS-K MSM51V17405D-70SJ MSM51V17405D-50TS-K MSM51V17405D-60TS-K MSM51V17405DSL-60SJ MSM51V17405D-70TS-K
描述 EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24 EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24 EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24 EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24 EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24 EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24 EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 TSOP, TSOP24/26,.36 TSOP, TSOP24/26,.36 SOJ, SOJ24/26,.34 TSOP, TSOP24/26,.36 TSOP, TSOP24/26,.36 SOJ, SOJ24/26,.34 TSOP, TSOP24/26,.36
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
最长访问时间 50 ns 70 ns 70 ns 50 ns 60 ns 60 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4
端子数量 24 24 24 24 24 24 24
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP TSOP SOJ TSOP TSOP SOJ TSOP
封装等效代码 TSOP24/26,.36 TSOP24/26,.36 SOJ24/26,.34 TSOP24/26,.36 TSOP24/26,.36 SOJ24/26,.34 TSOP24/26,.36
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048 2048 2048 2048 2048
自我刷新 YES YES NO NO NO YES NO
最大待机电流 0.0002 A 0.0002 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0002 A 0.0005 A
最大压摆率 0.1 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.1 mA 0.09 mA 0.09 mA 0.08 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING J BEND GULL WING GULL WING J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
转贴:发射功率接收灵敏度以及通信距离
功率 灵敏度 (dBm dBmV dBuV) dBm=10log(Pout/1mW),其中ou...
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