MT18VDDF6472G-265,MT18VDDF6472G-265 pdf中文资料,MT18VDDF6472G-265引脚图,MT18VDDF6472G-265电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

Reach Compliance Code

unknown

最长访问时间

0.75 ns

最大时钟频率 (fCLK)

133 MHz

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PDMA-N184

内存密度

4831838208 bit

内存集成电路类型

DDR DRAM MODULE

内存宽度

端子数量

184

字数

67108864 words

字数代码

64000000

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

64MX72

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

DIMM

封装等效代码

DIMM184

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

MICROELECTRONIC ASSEMBLY

电源

2.5 V

认证状态

Not Qualified

刷新周期

8192

最大待机电流

0.072 A

最大压摆率

6.3 mA

标称供电电压 (Vsup)

2.5 V

表面贴装

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子形式

NO LEAD

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

Base Number Matches

参数对比

与MT18VDDF6472G-265相近的元器件有：MT18VDDF12872G-335、MT18VDDF12872Y-335、MT18VDDF12872Y-40B、MT18VDDF6472G-335、MT18VDDF6472Y-335。描述及对比如下：

型号	MT18VDDF6472G-265	MT18VDDF12872G-335	MT18VDDF12872Y-335	MT18VDDF12872Y-40B	MT18VDDF6472G-335	MT18VDDF6472Y-335
描述	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, PDMA184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, PDMA184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, PDMA184,	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, PDMA184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, PDMA184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, PDMA184
是否无铅	含铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	符合	不符合	符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	compliant	compliant	unknown	unknown
最长访问时间	0.75 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	166 MHz	166 MHz	200 MHz	166 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N184	R-PDMA-N184	R-PDMA-N184	R-PDMA-N184	R-PDMA-N184	R-PDMA-N184
内存密度	4831838208 bit	9663676416 bit	9663676416 bit	9663676416 bit	4831838208 bit	4831838208 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72
端子数量	184	184	184	184	184	184
字数	67108864 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	128000000	128000000	128000000	64000000	64000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64MX72	128MX72	128MX72	128MX72	64MX72	64MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
最大待机电流	0.072 A	0.09 A	0.09 A	-	0.072 A	0.072 A
最大压摆率	6.3 mA	7.29 mA	7.29 mA	-	7.29 mA	7.29 mA