MT5LC2565-35XT,MT5LC2565-35XT pdf中文资料,MT5LC2565-35XT引脚图,MT5LC2565-35XT电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与MT5LC2565-35XT相近的元器件有：MT5LC2565-12、MT5LC2565-15、MT5LC2565-15AT、MT5LC2565-15IT、MT5LC2565-15XT、MT5LC2565-20XT、MT5LC2565-35IT。描述及对比如下：

型号	MT5LC2565-35XT	MT5LC2565-12	MT5LC2565-15	MT5LC2565-15AT	MT5LC2565-15IT	MT5LC2565-15XT	MT5LC2565-20XT	MT5LC2565-35IT
描述	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDIP28	Standard SRAM, 64KX4, 12ns, CMOS, PDIP28	Standard SRAM, 64KX4, 15ns, CMOS, PDIP28	Standard SRAM, 64KX4, 15ns, CMOS, PDIP28	Standard SRAM, 64KX4, 15ns, CMOS, PDIP28	Standard SRAM, 64KX4, 15ns, CMOS, PDIP28	Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, PDIP28	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDIP28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	_compli	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	35 ns	12 ns	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns	20 ns	35 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	262144 bit	262144 bi	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	70 °C	70 °C	125 °C	85 °C	125 °C	125 °C	85 °C
最低工作温度	-55 °C	-	-	-40 °C	-40 °C	-55 °C	-55 °C	-40 °C
组织	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP28,.3	DIP28,.3	DIP28,.3	DIP28,.3	DIP28,.3	DIP28,.3	DIP28,.3	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.0003 A	0.003 A	0.003 A	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A
最小待机电流	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大压摆率	0.04 mA	0.125 mA	0.11 mA	0.055 mA	0.055 mA	0.055 mA	0.05 mA	0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	AUTOMOTIVE	INDUSTRIAL	MILITARY	MILITARY	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Objectid	1435262148	-	1435262082	1435262062	1435262069	1435262076	1435262100	1435262142
ECCN代码	3A001.A.2.C	-	EAR99	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	EAR99

【求指导】电压电流反馈电路中此滤波器的作用？: 求各位前辈指点，这是电压反馈中的一个滤波器，但是这个滤波器该怎么分析？什么类型？反馈部分的...; Sheldon66 电源技术

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基于SPWM对农用小功率单相变频控制系统的设计

　摘要：针对农用小功率三相交流电机不易获取三相电源而无法广泛应用的问题，设计了一种在农用220 V单相交流电源的情况下，可输出电压幅值可无级调控的三相交流变频系统，能够实现小功率三相交流电机在农用单相电源的情况下广泛地使用。　　实验结果表明：当输入220 V交流电源时，可输出三相可控的交流电源。系统硬件设计合理，为农用小功率电源的变频控制的广泛应用提供了技术支持。　　0 引言 ...[详细]
SEMI与ESD Alliance策略结盟

国际半导体产业协会(SEMI)宣布已与电子系统设计联盟(ESD Alliance)签订合作备忘录，将于今年成为SEMI策略合作伙伴(Strategic Association Partner)。根据这项合作计划，总部位于美国加州红木城(Redwood City)的ESD Alliance于半导体设计产业生态系中的企业会员将加入SEMI，深化该联盟在全球微电子制造供应链的布局，同时也加强SEMI企...[详细]
[STM8] - 外部时钟 + 内部时钟的切换

STM8S103K3: 外部时钟 + 内部时钟的切换。首先看一下 STM8S103K3 的时钟结构图，可以帮助你很好的理解。这里有几个时钟，就是图中标识的时钟，需要弄清楚一下： fHSE: 外部高速晶振时钟，它是由外部晶振产生，大小由外部晶振大小决定，STM8S的外部晶振范围:1-24M，看图中的”HSE OSC 1-24M“。 fHSI:内部RC高速时钟，它是由内部的RC震荡...[详细]
磁盘阵列还是磁带机？两种存储利弊分析

　　20世纪50年代，磁带存储领域开始在世界上慢慢发展起来，经过几十年一代又一代的研发，磁带存储日益方便，目前，磁带存储仍然是外围存储设备中应用比例最多的，并且该领域的专家们也相当的乐观，相信在未来的50年里，不仅磁带存储量会大幅增加，而且数据速率，可靠性和磁带存储的管理也会大幅增加，也相信磁带能继续提供低成本高效益，高可靠性和高容量的存储功能，将会是存储领域绿荫场上的“主力中锋”。　　然而...[详细]
ARM2440换lcd

将原来的3.5寸分辨率为240x320换为480x272所需要修改的地方时序设置： CLKVAL=4 (VCLK =10) 5 VCLK 12　　　　　　　　每个点扫描周期　　　　　　　　 VSPW = 10-1　　　　　　　　 2 tvp - typ:10　　　　垂直方向的同步信号 VBPD=2-1　　　　　　　　　　2 tvb - typ：2 垂直同步...[详细]
科技公司与汽车行业“碰撞”的未雨绸缪路

两个行业在关于谁对产品负责以及谁必须赔偿谁的问题上，态度截然相反随着汽车和科技行业的“碰撞”越来越多，许多科技公司发现自己处于一个令人兴奋但又畏惧的位置，那就是不得不与老牌汽车制造商签订合同。这些合同的作用之大，是它可以对技术的构建、科技公司和零部件制造商之间如何分担风险，以及最终产品收集到的数据归谁所有产生持久的影响。如果处理不当，合同中看似让步“一寸”的选择，可能会产生“一...[详细]
智能配电网监测系统的实现

摘要：本文介绍了一种以ADC与DSP处理器相结合为基础的高可靠性配电网监测系统，该系统不仅硬件设计简洁，而且可靠性高、测量速度快。关键词：电能质量；FFT；频谱泄漏；栅栏效应；谐波引言电能质量是衡量电网质量的标准，电能质量问题包含电压凹陷（sag）、电压隆起（swell）、尖峰脉冲（spikes）、谐波畸变（harmonic aberration）和电气噪声(electric yawp)等，...[详细]
小米将参加MWC展前活动,5G手机要来？

伴随着CES2019的正式落幕，大家也都把视线转移到下个月将要举办的MWC上，此前已经有不少厂商表示将会在MWC上发布新款手机，而就在近日，据小米方面确认，将于2月24日，即MWC 2019前一晚，举办展前活动。小米MIX3 5G版　　除此之外，小米方面并没有透露出太多关于参展的信息。而根据此前的报道，小米将会在今年年初在欧洲首发小米MIX3 5G版，而MWC大会或许会是其向外...[详细]
STM32程序编写基本流程(LED流水灯)

LED流水灯程序初始化流程 //1.定义结构体变量 GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; //2.开启GPIOC的外部时钟,不同的外设开启不同的时钟,IO口复用时两个时钟都要开启。stmf10x_rcc.h RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOC,ENABLE); //3.设置要控制的GPIO管脚 GP...[详细]
强大、高效、可表面贴装的 OSTAR Lighting Plus 成高功率产品组合的新力军

OSTAR Lighting Plus 是欧司朗光电半导体高功率产品组合的新力军，只需小小的发光表面即可提供出色的亮度，在发光效率方面优于它的前代产品。凭借其出色的亮度和色彩稳定性，这款高功率 LED 完全适合用作白炽灯和卤素灯的改装灯光源。它包含四颗采用最先进的芯片技术装配的芯片，可发出冷白光或暖白光。这款 LED 在 350 mA 的工作电流下可以产生 425 lm（色...[详细]
奥地利微电子推新型增量式、线性磁编码器

奥地利微电子公司今天发布两款高性能线性霍尔传感器 IC AS5304 和 AS5306 ，扩展了其磁传感器产品系列。 AS5304 和 AS5306 具备奥地利微电子磁编码器系列的新型特性，可满足线性和离轴运动检测的应用需求。这两款器件在上电或运行时无须通过主控制器进行配置或校准，可为运动控制应用提供便捷的解决方案。新型线性磁编码器 IC 适合于医疗、工业...[详细]
2017智能数据中心建设与运营论坛“优秀解决方案”大奖

日前，中国智能信息技术与服务峰会暨2017智能数据中心建设与运营论坛在北京举办，台达MDC模块化数据中心解决方案喜获大会授予的“2016~2017年度数据中心优秀解决方案奖”。该奖项是业内专家对台达MDC系列解决方案在国内数据中心基础设施建设领域的领先性给予的高度认可。台达集团-中达电通关键基础架构解决方案产品处总监李南表示：“很荣幸台达MDC模块化数据中心解决方案能荣获专业大奖，这是我...[详细]
无人驾驶崛起：却伤害了另一个百亿美元市场？

据外媒报道，在2015年接受采访时，特斯拉 CEO伊隆-马斯克（Elon Musk）指出，在将来有一天，无人驾驶技术的发展可能会让人类驾驶汽车的行为变成非法行为。虽然有些人可能会觉得这种说法很可笑，但是它或许很快会变成现实。贝恩咨询公司（Bain & Company）称，到2025年，也就是短短几年后，无人驾驶汽车的市场规模有望达到260亿美元。有人甚至预测，到2020年，将会有1000万...[详细]
苹果虽暂时领先，分析师看好亚马逊率先冲破1万亿美元大关

一万亿美元这关，苹果和亚马逊谁将率先突破呢，很久以来，苹果被认为将成为第一家市值突破1万亿美元的公司，不过，亚马逊的市值增速惊人，苹果以9360亿美元的市值小幅领先，而亚马逊则在周三首次突破了9000亿美元大关。两位市场观察人士认为，虽然亚马逊目前屈居第二，但它更有可能率先冲过“终点线”。应该不用等太长时间就会揭晓了吧。 “我要站在亚马逊这一边，我认为亚马逊正火力全开，”Blue Li...[详细]
深入探讨电动汽车电机领域的不同趋势/发展

电动汽车是实现交通领域零排放的一项前景广阔的全球战略。更严格的排放标准和电池的改进（成本更低、续航里程更长）有助于电动汽车的发展。三电是电动汽车动力系统的关键部件。汽车传统设备制造商本着可持续发展的理念，走在电动汽车的前沿。本文深入探讨电动汽车电机领域的不同趋势/发展。推动发展的因素有哪些？缩小安装空间、提高功率密度、优化冷却概念和增强可控性是电机创新的主要驱动力，此外...[详细]