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MT8LSDT864HG-133B5

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Micron Technology

厂商官网:http://www.mdtic.com.tw/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Micron Technology
零件包装代码
DIMM
包装说明
,
针数
144
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
6 ns
其他特性
AUTO REFRESH, SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-XDMA-N144
内存密度
536870912 bi
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
144
字数
8388608 words
字数代码
8000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8MX64
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态
Not Qualified
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
参数对比
与MT8LSDT864HG-133B5相近的元器件有:MT8LSDT864LHG-133B5、MT8LSDT864HG-13EB5、MT8LSDT864LHG-662B5、MT8LSDT864HG-662B5、MT8LSDT864LHG-13EB5。描述及对比如下:
型号 MT8LSDT864HG-133B5 MT8LSDT864LHG-133B5 MT8LSDT864HG-13EB5 MT8LSDT864LHG-662B5 MT8LSDT864HG-662B5 MT8LSDT864LHG-13EB5
描述 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 9ns, CMOS, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 9ns, CMOS, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
针数 144 144 144 144 144 144
Reach Compliance Code unknow unknow unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 5.4 ns 9 ns 9 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO REFRESH, SELF REFRESH AUTO REFRESH, SELF REFRESH AUTO REFRESH, SELF REFRESH AUTO REFRESH, SELF REFRESH AUTO REFRESH, SELF REFRESH AUTO REFRESH, SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144 144 144
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 Micron Technology Micron Technology - Micron Technology Micron Technology Micron Technology
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