NESG210719-A

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

参数对比

与NESG210719-A相近的元器件有：NESG210719、NESG210719-T1、NESG210719-T1-A。描述及对比如下：

型号	NESG210719-A	NESG210719	NESG210719-T1	NESG210719-T1-A
描述	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
是否Rohs认证	-	不符合	不符合	符合
厂商名称	-	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	-	unknow	unknow	compli
最大集电极电流 (IC)	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A
元件数量	-	1	1	1
极性/信道类型	-	NPN	NPN	NPN
表面贴装	-	YES	YES	YES
晶体管元件材料	-	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM

热门器件

器件捷径:

L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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