首页 > 器件类别 > 半导体 > 分立半导体

NGTD17T65F2SWK

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

器件标准:

下载文档
NGTD17T65F2SWK 在线购买

供应商:

器件:NGTD17T65F2SWK

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
160A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
2V @ 15V,40A
输入类型
标准
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
参数对比
与NGTD17T65F2SWK相近的元器件有:NGTD17T65F2WP。描述及对比如下:
型号 NGTD17T65F2SWK NGTD17T65F2WP
描述 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT 类型 沟槽型场截止 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650V 650V
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 160A 160A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2V @ 15V,40A 2V @ 15V,40A
输入类型 标准 标准
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 模具 模具
供应商器件封装 模具 模具
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
需要登录后才可以下载。
登录取消