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P2164A-20

Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Intel(英特尔)

厂商官网:http://www.intel.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Intel(英特尔)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP,
针数
16
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
PAGE
最长访问时间
200 ns
其他特性
RAS ONLY/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码
R-PDIP-T16
长度
19.304 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
PAGE MODE DRAM
内存宽度
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
16
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
64KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
128
座面最大高度
5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
NMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
参数对比
与P2164A-20相近的元器件有:D2164A-15、D2164A-20、P2164A-15。描述及对比如下:
型号 P2164A-20 D2164A-15 D2164A-20 P2164A-15
描述 Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16 Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16 Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16
厂商名称 Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP,
针数 16 16 16 16
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 200 ns 150 ns 200 ns 150 ns
其他特性 RAS ONLY/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDIP-T16 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16 R-PDIP-T16
长度 19.304 mm 19.558 mm 19.558 mm 19.304 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 16 16 16 16
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX1 64KX1 64KX1 64KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 128 128 128 128
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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