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P6SMB510CAR4G

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 434V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Taiwan Semiconductor

厂商官网:http://www.taiwansemi.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Taiwan Semiconductor
包装说明
R-PDSO-C2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
其他特性
EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压
535 V
最小击穿电压
485 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
DO-214AA
JESD-30 代码
R-PDSO-C2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值反向功率耗散
600 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
BIDIRECTIONAL
最大功率耗散
3 W
最大重复峰值反向电压
434 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
C BEND
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与P6SMB510CAR4G相近的元器件有:P6SMB530CAM4G、P6SMB530CAR5G、P6SMB530CAR4G、P6SMB510CAM4G、P6SMB510CAR5G。描述及对比如下:
型号 P6SMB510CAR4G P6SMB530CAM4G P6SMB530CAR5G P6SMB530CAR4G P6SMB510CAM4G P6SMB510CAR5G
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 434V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 451V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 451V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 451V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 434V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 434V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压 535 V 556.5 V 556.5 V 556.5 V 535 V 535 V
最小击穿电压 485 V 503.5 V 503.5 V 503.5 V 485 V 485 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1
最大非重复峰值反向功率耗散 600 W 600 W 600 W 600 W 600 W 600 W
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 3 W 3 W 3 W 3 W 3 W 3 W
最大重复峰值反向电压 434 V 451 V 451 V 451 V 434 V 434 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 Taiwan Semiconductor - - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
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