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PAH20012

Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-6

器件类别：模拟混合信号IC    触发装置   

厂商名称：Kyocera(京瓷)

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Kyocera(京瓷)
包装说明
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X6
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
UL RECOGNIZED
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流
150 mA
JESD-30 代码
R-XUFM-X6
元件数量
1
端子数量
6
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
认证状态
Not Qualified
最大均方根通态电流
314 A
断态重复峰值电压
1200 V
重复峰值反向电压
1200 V
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
触发设备类型
SCR
Base Number Matches
1
文档预览
THYRISTOR
200A Avg 1200∼1600 Volts
■回路図 CIRCUIT
PDT
1
2
3
4
K1 G1
K2 G2
PDT
PDH
PCH
20012
PAT
PAH
PDT
PDH
PCH
20016
PAT
PAH
■外½寸法図 OUTLINE DRAWING
（単½ Dimension：mm）
PDH
1
2
3
4
K1 G1
PCH
1
2
3
4
K1 G1
K2 G2
PAT
1
2
3
4
K1 G1
PAH
1
2
3
4
K1 G1
■最大定格 Maximum Ratings
項   目
Parameter
くり返しピークオフ電圧
Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しピークオフ電圧
Non Repetitive Peak Off-State Voltage
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しピーク逆電圧
Non Repetitive Peak Reverse Voltage
項   目
Parameter
平均整流電流
Average Rectified Output Current
実効オン電流
RMS On-State Current
サージオン電流
Surge On-State Current
電流二乗時間積
I Squared t
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
Peak Gate Current
ピークゲート電圧
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage
動½接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
Isolation Voltage
ベース部
Mounting
締付トルク
Mounting Torque
主端子部
Terminal
記号
Symbol
V
DRM
V
DSM
V
RRM
V
RSM
記号
Symbol
I
0
（AV）
I
T RMS）
（
I
TSM
I
2
t
di/dt
P
GM
P
（AV）
G
I
GM
V
GM
V
RGM
T
jw
T
stg
V
iso
端子−ベース間，AC１分間
Terminal to Base, AC１min.
サーマルコンパウンド塗布
Greased
50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
２∼10ms
V
D
=2/3V
DRM
，I
TM
=2 I
O
，T
j
＝125℃
・
I
G
=300mA，di
G
/dt=0.2A/ s
μ
耐圧クラス Grade
PDT/PDH/PCH/PAT/PAH20012
1200
1300
1200
1300
条   件
Conditions
商用周波数 180°通電
Half Sine Wave
PDT/PDH/PCH/PAT/PAH20016
1600
1700
1600
1700
定格値
Max. Rated Value
T
c
＝75℃
200
314
4000
80000
100
5
1
2
10
5
−40∼＋125
−40∼＋125
2500
M6
M8
2.5∼3.5
9.0∼10.0
単½
Unit
V
V
V
V
単½
Unit
A
A
A
A
2
s
A/ s
μ
W
W
A
V
V
℃
℃
V
N m
・
N m
・
F
１アーム½りの値 Value Per 1 Arm.
─ 203 ─
■電気的特性 Electrical Characteristics
項   目
Parameter
ピークオフ電流
Peak Off-State Current
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピークオン電圧
Peak On-State Voltage
トリガゲート電流
Gate Current to Trigger
トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger
非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Turn-Off Time
ターンオン時間
Turn-On Time
遅れ時間
Delay Time
立上がり時間
Rise Time
ラッチング電流
Latching Current
保持電流
Holding Current
熱抵抗
Thermal Resistance
接触熱抵抗
Thermal Resistance
質量…約480g
Approximate Weight
記号
Symbol
I
DM
I
RM
V
TM
I
GT
条   件
Conditions
T
j
=125℃，V
DM
=V
DRM
T
j
=125℃，V
RM
=V
RRM
T
j
=25℃，I
TM
=600A
V
D
=6V，I
T
=1A
T
j
=−40℃
T
j
= 25℃
T
j
= 125℃
T
j
=−40℃
T
j
= 25℃
T
j
= 125℃
0.25
500
100
6
T
j
=25℃，V
D
=2/3V
DRM
I
G
=300mA，di
G
/dt=0.2A/ s
μ
2
4
T
j
=25℃
T
j
=25℃
接合部−ケース間
Junction to Case
ケース−フィン間，サーマルコンパウンド塗布
Case to Fin, Greased
150
100
0.2
0.1
特性値（最大）
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
単½
Unit
mA
mA
V
mA
mA
mA
V
V
V
V
V/ s
μ
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
mA
mA
℃/W
℃/W
80
80
1.28
300
150
80
5
3
2
V
GT
V
GD
dv/dt
t
q
t
gt
t
d
t
r
I
L
I
H
R
th
（j-c）
R
th
（c-f）
V
D
=6V，I
T
=1A
T
j
=125℃，V
D
=2/3V
DRM
T
j
=125℃，V
D
=2/3V
DRM
T
j
=125℃，I
TM
=I
O
，V
D
=2/3V
DRM
dv/dt=20V/ s，
R
=100V，
μ V
−di/dt=20A/ s
μ
１アーム½りの値 Value Per 1 Arm.
サ
イ
リ
ス
タ
モ
ジ
ュ
ー
ル
─ 204 ─
■定格・特性曲線
─ 205 ─
サ
イ
リ
ス
タ
モ
ジ
ュ
ー
ル
─ 206 ─
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参数对比
与PAH20012相近的元器件有：PDH20012、PAT20012、PCH20012、PDT20012。描述及对比如下：
型号 PAH20012 PDH20012 PAT20012 PCH20012 PDT20012
描述 Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-6 Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-6 Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, MODULE-8 Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-6 Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, MODULE-8
厂商名称 Kyocera(京瓷) Kyocera(京瓷) Kyocera(京瓷) Kyocera(京瓷) Kyocera(京瓷)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X6 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X6 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X6 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE ANTI-PARALLEL, 2 ELEMENTS SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA
JESD-30 代码 R-XUFM-X6 R-XUFM-X6 R-XUFM-X8 R-XUFM-X6 R-XUFM-X8
元件数量 1 1 2 1 2
端子数量 6 6 8 6 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 314 A 314 A 314 A 314 A 314 A
断态重复峰值电压 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
重复峰值反向电压 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR
Base Number Matches 1 1 1 1 1
热门器件
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L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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