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PCD8594D-2P

IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8, Programmable ROM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
NXP(恩智浦)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP,
针数
8
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
DATA RETENTION = 40 YEARS; WIRE I2C INTERFACE
最大时钟频率 (fCLK)
0.1 MHz
数据保留时间-最小值
40
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
长度
9.5 mm
内存密度
4096 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
8
字数
512 words
字数代码
512
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
-25 °C
组织
512X8
输出特性
OPEN-DRAIN
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
SERIAL
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.2 mm
串行总线类型
I2C
最大供电电压 (Vsup)
6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)
10 ms
参数对比
与PCD8594D-2P相近的元器件有:PCA8594F-2T、PCF8594E-2P、PCF8594E-2T、PCA8594F-2P。描述及对比如下:
型号 PCD8594D-2P PCA8594F-2T PCF8594E-2P PCF8594E-2T PCA8594F-2P
描述 IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8, Programmable ROM IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, SOT-96-1, SOP-8, Programmable ROM IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8, Programmable ROM IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, SOT-96-1, SOP-8, Programmable ROM IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8, Programmable ROM
零件包装代码 DIP SOIC DIP SOIC DIP
包装说明 DIP, SOP, DIP, SOP, DIP,
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 DATA RETENTION = 40 YEARS; WIRE I2C INTERFACE DATA RETENTION = 40 YEARS; WIRE I2C INTERFACE DATA RETENTION = 40 YEARS; WIRE I2C INTERFACE DATA RETENTION = 40 YEARS; WIRE I2C INTERFACE DATA RETENTION = 40 YEARS; WIRE I2C INTERFACE
最大时钟频率 (fCLK) 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40 40 40
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
长度 9.5 mm 4.9 mm 9.5 mm 4.9 mm 9.5 mm
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
字数 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words
字数代码 512 512 512 512 512
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 125 °C 85 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 -25 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512X8 512X8 512X8 512X8 512X8
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP DIP SOP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.2 mm 1.75 mm 4.2 mm 1.75 mm 4.2 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C I2C
最大供电电压 (Vsup) 6 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER AUTOMOTIVE INDUSTRIAL INDUSTRIAL AUTOMOTIVE
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 3.9 mm 7.62 mm 3.9 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms
Base Number Matches - 1 1 1 -
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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